[发明专利]一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件，包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO₂隔离介质、N^-外延层、P⁺型的离子注入区、N⁺衬底区和欧姆接触区，所述P⁺型的离子注入区夹在所述N^-外延层的中部，且将所述N^-外延层分为上、下漂移区，其特征在于，所述P⁺型的离子注入区为水平均布的多个块状的浮动结。

2.如权利要求1所述的一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件，其特征在于，所述N^-外延层的顶面和底面之间的厚度为20μm，其氮离子掺杂浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁶cm^-3。

3.如权利要求1所述的一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件，其特征在于，所述P⁺型的离子注入区的厚度为0.8μm，其铝离子掺杂浓度为1×10¹⁷～1×10¹⁹cm^-3。

4.如权利要求1所述的一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件，其特征在于，所述P⁺型的离子注入区和肖特基接触区之间的距离为10μm。

5.如权利要求1所述的一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件，其特征在于，所述浮动结的形状为长方体。

6.如权利要求1所述的一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件，其特征在于，所述浮动结的形状为六棱柱形。

7.如权利要求1所述的一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件，其特征在于，所述浮动结的形状为圆柱形。

8.一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

A10、通过外延工艺在碳化硅衬底上制作第一层外延层，形成N^-外延层的下漂移区；

A20、离子束蒸发淀积金属层，通过刻蚀形成P型埋层区的窗口，离子注入形成P⁺型浮岛结构的埋层区，即离子注入区；

A30、通过第二次外延工艺在其上制作第二层外延层，形成N^-外延层的上漂移区；

A40、正面淀积SiO₂隔离介质；

A50、制作底面的欧姆接触区和顶面的肖特基接触区；

A60、PI胶钝化。