[发明专利]叠对标记及其形成方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种叠对标记及其形成方法。

背景技术

为应对电子产品轻、薄、短、小的需求，电子元件的尺寸逐渐缩小。然而，由于曝光机台的研发速度远不及市场需求尺寸缩小的速度，因而，目前有一种双重图案化过程（double patterning process）被提出来。双重图案化过程是以现有机台曝出具有较大尺寸的光致抗蚀剂图案，再于光致抗蚀剂图案的侧壁形成宽度较窄的间隙壁。之后，再将光致抗蚀剂层移除。由于间隙壁的宽度可以依据实际需要通过蚀刻过程而调整成所需尺寸，因此，留下的间隙壁可以做为蚀刻的罩幕来形成所需的图案尺寸。

目前的叠对标记是由四个条状（bar）光致抗蚀剂层所构成。由于双重图案化过程会将光致抗蚀剂层移除，因此，叠对标记处仅会留下环绕于四个条状光致抗蚀剂层周围的环状间隙壁。环状间隙壁所占的面积小，无法提供足够的对比，因此其信号非常弱，而不易于对准。

发明内容

本发明提供一种叠对标记，可以提供足够的对比，增加信号的强度，以易于对准。

本发明提供一种叠对标记的形成方法，可以适于现有的双重图案化过程。

本发明提出一种叠对标记的形成方法，包括在基底上形成多条光致抗蚀剂图案。每一光致抗蚀剂图案包括第一条状物以及并排的多个第二条状物。所述第一条状物与所述第二条状物交错而呈栅状，并且相邻的两个光致抗蚀剂图案之间有空隙，且所述空隙呈栅状。接着，在每一空隙中形成多个岛状物，以形成网点带状图案。之后，移除所述光致抗蚀剂图案，留下所述的网点带状图案做为所述叠对标记。

依照本发明一实施例所述，上述岛状物的形成方法包括在所述基底上形成间隙壁材料层，接着，非等向性蚀刻所述间隙壁材料层，以在每一空隙中的光致抗蚀剂图案的侧壁上形成多个间隙壁，以做为所述岛状物。每一间隙壁的宽度大于或等于所对应的相邻两个第二条状物之间的间距的1/2。

依照本发明一实施例所述，上述每一光致抗蚀剂图案的所述第二条状物与所述第一条状物之间具有多个第一间隙，相邻的两个光致抗蚀剂图案的每一第二条状物彼此相对应且彼此之间具有一第二间隙，其中所述岛状物的形成方法包括在所述基底上形成一间隙壁材料层，接着，非等向性蚀刻所述间隙壁材料层，以在所述第一间隙之中的所述光致抗蚀剂图案的侧壁上形成多个第一间隙壁，在所述第二间隙之中的所述光致抗蚀剂图案的侧壁上形成多个第二间隙壁。每一第一间隙壁的宽度大于每一第一间隙的宽度的1/2，使所述第一间隙壁填满第一间隙的底部。每一第二间隙壁的宽度大于每一第二间隙的宽度的1/2，使所述第二间隙壁填满第二间隙的底部。

依照本发明一实施例所述，上述岛状物的材料包括氮化硅（Si₃N₄）或氧化硅（SiO₄）。

本发明又提出一种叠对标记的形成方法，包括在基底上形成多条光致抗蚀剂图案。每一光致抗蚀剂图案中具有多个间隙。在所述基底上形成间隙壁材料层，覆盖所述光致抗蚀剂图案并且填入所述间隙之中。接着，非等向性蚀刻所述间隙壁材料层，以在每一间隙中的光致抗蚀剂图案的侧壁上形成多个间隙壁。所述间隙壁构成多个岛状物。每一间隙壁的宽度大于或等于所对应的间隙的宽度的1/2。

依照本发明一实施例所述，上述岛状物的材料包括氮化硅（Si₃N₄）或氧化硅（SiO₄）。

本发明还提出一种叠对标记的形成方法，包括在基底上形成多条光致抗蚀剂图案。相邻两个光致抗蚀剂图案有多个相对应的部分，所述相对应的部分之间具有多个间隙。在所述基底上形成间隙壁材料层，以覆盖所述光致抗蚀剂图案并且填入于所述间隙之中。接着，非等向性蚀刻所述间隙壁材料层，以在每一间隙中的光致抗蚀剂图案的侧壁上形成多个间隙壁。所述间隙壁构成多个岛状物。每一间隙壁的宽度大于或等于所对应的间隙之间的宽度的1/2。

依照本发明一实施例所述，上述岛状物的材料包括氮化硅（Si₃N₄）或氧化硅（SiO₄）。

本发明还提出一种叠对标记，包括多条网点带状图案，每一条网点带状图案包括至少三行。奇数行分别具有多个第一岛状物，以第一间距排列。偶数行分别具有多个第二岛状物，以第二间距排列，且所述第二岛状物与所述第一岛状物彼此错开。

依照本发明一实施例所述，上述第一间距与第二间距相同。

基于上述，本发明实施例的叠对标记，可以提供足够的对比，增加信号的强度，非常易于对准。