[发明专利]高密度3D封装

权利要求书

1.一种集成电路系统，包括：

插入件，其包括穿过所述插入件的多个导电过孔；

安装在所述插入件的第一表面上的一个或多个高功率芯片，其中所述一个或多个高功率芯片在正常运行期间生成至少10W的热量；

安装在所述插入件的第二表面上的一个或多个低功率芯片，其中所述一个或多个低功率芯片在正常运行期间生成小于5W的热量，并且所述第一表面和所述第二表面彼此相对并且大体平行；以及

在所述一个或多个高功率芯片和所述一个或多个低功率芯片上形成的并配置为包封所述一个或多个高功率芯片和所述一个或多个低功率芯片的包封材料。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个低功率芯片通过所述多个导电过孔电连接到所述一个或多个高功率芯片。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个低功率芯片以并排式配置放置。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述一个或多个低功率芯片中的每个偏离所述一个或多个高功率芯片中的每个的中心。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述一个或多个低功率芯片中的每个与所述一个或多个高功率芯片的边重叠。

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述一个或多个低功率芯片中的每个包括与所述一个或多个高功率芯片的所述边按行对齐的输入/输出端子。

7.根据权利要求1所述的系统，进一步包括电地和机械地连接到所述一个或多个低功率芯片的封装基板，所述封装基板具有足以支持所有低功率芯片的连续长度。

8.根据权利要求7所述的系统，其中所述包封材料包封位于所述封装基板和所述插入件之间的所有低功率芯片。

9.根据权利要求1所述的系统，进一步包括电地和机械地连接到所述一个或多个低功率芯片的封装基板，其中所述封装基板具有在所述封装基板的上表面中形成的凹进的开口，用于容纳所述一个或多个低功率芯片的厚度。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述一个或多个低功率芯片在所述凹进的开口内被包封在包封材料中。