[发明专利]电熔丝结构及其形成方法

权利要求书

1.一种电熔丝结构，其特征在于，包括：基底，位于所述基底表面的第一导电层，覆盖所述第一导电层和基底的层间介质层，位于所述第一导电层表面且贯穿层间介质层的第一导电插塞，位于所述第一导电插塞和层间介质层表面的第二导电层，其中，所述第一导电层与第一导电插塞的底部表面部分接触或者所述第二导电层与第一导电插塞的顶部表面部分接触。

2.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第一导电插塞与第一导电层或第二导电层部分接触时的接触面积占所述第一导电插塞的横截面积的30%～70%。

3.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，与第一导电插塞部分接触的第一导电层或第二导电层的接触部位具有长方形开口，所述长方形开口的宽度小于第一导电插塞的直径。

4.如权利要求3所述的电熔丝结构，其特征在于，所述长方形开口的长度大于或等于第一导电插塞的直径。

5.如权利要求3所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第一导电插塞同时与开口两侧的第一导电层或第二导电层相接触。

6.如权利要求3所述的电熔丝结构，其特征在于，与第一导电插塞部分接触的第一导电层或第二导电层的接触部位的形状为叉形，所述叉形的第一导电层或第二导电层与第一导电插塞部分接触的一端至少包括两个叉齿，所述第一导电插塞同时与所述开口两侧的叉齿相接触。

7.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，与第一导电插塞部分接触的第一导电层或第二导电层的接触部位具有开口，所述开口完全位于第一导电插塞的顶部表面。

8.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，还包括，位于所述第一导电层表面且贯穿层间介质层的第二导电插塞，位于所述第二导电插塞和层间介质层表面的第三导电层，所述第一导电层与第二导电插塞的底部表面完全接触且所述第三导电层与第二导电插塞的顶部表面完全接触。

9.如权利要求8所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第二导电插塞的数量大于所述第一导电插塞的数量。

10.如权利要求8所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第二导电插塞的直径大于所述第一导电插塞的直径。

11.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，当所述第一导电层与第一导电插塞的部分底部表面接触，所述第二导电层与第一导电插塞的顶部表面完全接触。

12.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，当所述第二导电层与第一导电插塞的部分顶部表面接触，所述第一导电层与第一导电插塞的底部表面完全接触。

13.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第一导电层为掺杂有杂质离子的衬底、金属硅化物层、金属栅电极或金属互连层。

14.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第二导电层为金属互连层。

15.一种电熔丝结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底表面形成第一导电层；

在所述第一导电层和基底表面形成层间介质层；

形成贯穿所述层间介质层的第一导电插塞，且所述第一导电插塞位于第一导电层的表面；

在所述第一导电插塞和第一导电层表面形成第二导电层，且所述第一导电层与第一导电插塞的底部表面部分接触或者所述第二导电层与第一导电插塞的顶部表面部分接触。

16.如权利要求15所述的电熔丝结构的形成方法，其特征在于，还包括：

形成贯穿所述层间介质层的第二导电插塞，且所述第二导电插塞位于第一导电层的表面；

在所述第二导电插塞和层间介质层表面形成第三导电层，所述第一导电层与第二导电插塞的底部表面完全接触且所述第三导电层与第二导电插塞的顶部表面完全接触。

17.如权利要求16所述的电熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电插塞和第二导电插塞采用同一形成工艺形成，所述第二导电层和第三导电层采用同一形成工艺形成。

18.如权利要求15所述的电熔丝结构的形成方法，其特征在于，与第一导电插塞部分接触的第一导电层或第二导电层的接触部位具有长方形开口，所述长方形开口的宽度小于第一导电插塞的直径，且所述第一导电插塞同时与开口两侧的第一导电层或第二导电层相接触。