[发明专利]用于形成堆叠封装件的方法和装置

权利要求书

1.一种封装器件，包括：

第一封装件，包括第一衬底、位于所述第一衬底上方的第一管芯、位于所述第一衬底上方的第一去耦电容器和第二去耦电容器、封装所述第一管芯、所述第一去耦电容器和所述第二去耦电容器的第一模塑料、以及连接所述第一管芯和所述第一去耦电容器的第一电气通路，其中所述第一电气通路具有8μm至44μm范围内的第一宽度和10μm至650μm范围内的第一长度；

第二封装件，包括第二衬底、位于所述第二衬底上方的第二管芯和封装所述第二管芯的第二模塑料，其中，所述第二封装件是第一堆叠封装器件的底部封装件，而所述第一封装件是所述第一堆叠封装器件的顶部封装件；以及

第二电气通路，连接所述第二管芯和所述第二去耦电容器，所述第二电气通路具有8μm至44μm范围内的第二宽度和10μm至650μm范围内的第二长度，其中，所述第二电气通路包括所述第二衬底上的第一再分配层并且没有延伸穿过任何管芯。

2.根据权利要求1所述的封装器件，其中，所述第一去耦电容器是铝电解电容器、固体钽电容器、铝-聚合物电容器、特种聚合物电容器、替换钽电容器、替换铝电解电容器或者多层陶瓷电容器。

3.根据权利要求1所述的封装器件，其中，所述第一管芯包括基带处理器、无线收发器、存储芯片、天线或者无源部件。

4.根据权利要求1所述的封装器件，其中，所述第一电气通路包括所述第一管芯的第一接触焊盘、位于所述第一衬底上的第二再分配层、连接所述第一接触焊盘和所述第二再分配层的第一连接件、所述第一去耦电容器的第二接触焊盘以及连接所述第二接触焊盘和所述第二再分配层的第二连接件。

5.根据权利要求4所述的封装器件，其中，

所述第一连接件是安装螺柱、导电柱、焊球、微凸块或者可控坍塌芯片连接凸块；以及

所述第二连接件是安装螺柱、导电柱、焊球、微凸块或者可控坍塌芯片连接凸块。

6.根据权利要求1所述的封装器件，其中，所述第二电气通路还包括所述第二管芯的第三接触焊盘、连接所述第三接触焊盘和所述第一再分配层的第三连接件、所述第二去耦电容器的第四接触焊盘、位于所述第一衬底上的第三再分配层、连接所述第四接触焊盘和所述第三再分配层的第四连接件以及连接所述第一再分配层和所述第三再分配层的通孔，其中，所述通孔延伸穿过所述第二模塑料。

7.根据权利要求1所述的封装器件，进一步包括：

第三管芯，包含在所述第一封装件或者所述第二封装件内；以及

第三电气通路，连接所述第三管芯和所述第一去耦电容器，所述第三电气通路具有8μm至44μm范围内的第三宽度和10μm至650μm范围内的第三长度。

8.一种形成封装器件的方法，包括：

提供第一封装件，所述第一封装件包括第一衬底、位于所述第一衬底上的第一再分配层和位于所述第一衬底上方连接至所述第一再分配层的第一管芯；

提供第二封装件，所述第二封装件包括第二衬底、位于所述第二衬底上的第二再分配层、位于所述第二衬底上方连接至所述第二再分配层的第一去耦电容器和封装所述第二再分配层和所述第一去耦电容器的模塑料；

形成连接所述第一封装件的第一再分配层和所述第二封装件的第二再分配层的通孔，所述通孔穿过所述模塑料；以及

形成连接所述第一管芯和所述第一去耦电容器的第一电气通路，其中所述第一电气通路包括所述通孔并且具有8μm至44μm范围内的第一宽度和10μm至650μm范围内的第一长度。

9.根据权利要求8所述的形成封装器件的方法，其中，所述第二封装件包括第二管芯以及位于所述第二管芯和所述第一去耦电容器之间的第二电气通路，其中所述第二电气通路具有8μm至44μm范围内的第二宽度和10μm至650μm范围内的第二长度。

10.根据权利要求8所述的形成封装器件的方法，其中，所述第一去耦电容器是铝电解电容器、固体钽电容器、铝-聚合物电容器、特种聚合物电容器、替换钽电容器、替换铝电解电容器或者多层陶瓷电容器。

11.根据权利要求8所述的形成封装器件的方法，其中，所述第一管芯包括基带处理器、无线收发器、存储芯片、天线或者无源部件。