[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：

沿着第1方向延伸的多个第1布线；

沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸的多个第2布线；

存储单元阵列，在所述多个第1布线和所述多个第2布线的各交叉部排列连接在两布线之间的存储单元而成；

多个第1伪布线区域，在所述存储单元阵列的周围的周边区域，包括形成在与所述多个第1布线和所述多个第2布线同一层的第1伪布线和第2伪布线；

接触部，在所述周边区域，形成为在相对于所述第1方向和所述第2方向垂直的第3方向上延伸；和

多个第2伪布线区域，在所述接触部的周围形成，包括形成在与所述第1布线和所述第2布线同一层的第3伪布线和第4伪布线，

多个所述第2伪布线区域的面积的平均值比多个所述第1伪布线区域的面积的平均值小。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第2伪布线区域具有呈闭环状包围所述接触部的周围的形状。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第1伪布线区域和所述第2伪布线区域包括具备与所述存储单元相同的结构的伪单元。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第1至第4伪布线不与其他的布线连接。

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第2伪布线区域具备呈闭环状包围所述接触部的周围的矩形形状。

6.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

闭环状的所述第2伪布线区域分别包围1个所述接触部。

7.如权利要求6所述的半导体存储装置，其中，

1个所述接触部配置在闭环状的所述第2伪布线区域的大致中央。

8.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

闭环状的所述第2伪布线区域分别包围多个所述接触部。

9.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中，

闭环状的所述第2伪布线区域在该闭环中将多个所述接触部均匀配置。

10.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

多个所述第2伪布线区域包围所述接触部的周围。

11.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：

沿着第1方向延伸的多个第1布线；

沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸的多个第2布线；

存储单元阵列，在所述多个第1布线和所述多个第2布线的各交叉部排列连接在两布线之间的存储单元而成；

接触部，在所述存储单元阵列的周围的周边区域，形成为在相对于所述第1方向和所述第2方向垂直的第3方向上延伸；和

伪布线区域，在所述接触部的周围形成，包括形成在与所述第1布线和所述第2布线同一层的第1伪布线和第2伪布线，

所述伪布线区域具有呈闭环状包围所述接触部的周围的形状。

12.如权利要求11所述的半导体存储装置，其中，

所述伪布线区域包括具备与所述存储单元相同的结构的伪单元。

13.如权利要求11所述的半导体存储装置，其中，

所述第1至第2伪布线不与其他的布线连接。

14.如权利要求11所述的半导体存储装置，其中，

所述伪布线区域具备呈闭环状包围所述接触部的周围的矩形形状。

15.如权利要求11所述的半导体存储装置，其中，

闭环状的所述伪布线区域分别包围1个所述接触部。

16.如权利要求15所述的半导体存储装置，其中，

1个所述接触部配置在闭环状的所述伪布线区域的大致中央。