[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：

在层压衬底上形成多个第一晶圆开口，所述层压衬底具有正面和相反的背面；

将多个第一晶圆放置在所述多个第一晶圆开口内；

在所述多个第一晶圆中的每个晶圆周围形成整体式间隔件，所述整体式间隔件设置在所述层压衬底与所述多个第一晶圆中的每个晶圆的外侧壁之间的间隙内，所述整体式间隔件通过在所述多个第一晶圆中的每个晶圆的顶表面的一部分上部分地延伸而将所述晶圆保持在所述层压衬底内；以及

在所述层压衬底的所述正面上形成正面触点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述层压衬底在所述层压衬底的所述正面之上具有上导电层并且在所述层压衬底的所述背面之下具有下导电层，所述方法进一步包括在所述多个第一晶圆开口的周围，从所述正面和所述背面移除所述上导电层和所述下导电层的一部分。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在将所述多个第一晶圆放置在所述多个第一晶圆开口内之前，将所述层压衬底放置在载体上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述整体式间隔件包括：

使用印刷工艺，在所述多个第一晶圆中的每个晶圆的周边周围的第一区域内沉积间隔件材料；以及

使用光成像工艺，从所述第一区域移除所述间隔件材料的一部分，以形成所述整体式间隔件。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在层压衬底上形成多个第二晶圆开口；

将多个无源元件放置在所述多个第二晶圆开口内；以及

在所述多个无源元件中的每个元件周围，形成整体式间隔件，所述整体式间隔件将所述多个无源元件保持在所述层压衬底内。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在层压衬底上形成多个第二晶圆开口；

将多个第二晶圆放置在所述多个第二晶圆开口内；以及

在所述多个第二晶圆中的每个元件周围，形成整体式间隔件，所述整体式间隔件将所述多个第二晶圆保持在所述层压衬底内。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

涂覆金属材料，以覆盖所述层压衬底的所述正面、所述整体式间隔件的顶表面以及所述多个第一晶圆中的每个晶圆的所述顶表面；

形成电路布置图，所述电路布置图包括金属材料涂层以及在所述金属材料涂层上形成的厚导电层；以及

形成覆盖所述电路布置图的一些部分的焊接掩模。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属材料和所述厚导电层包括铜。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述多个第一晶圆开口的同时，在所述层压衬底上形成贯穿开口；以及

在形成所述整体式间隔件之后，通过填充所述贯穿开口，利用金属形成通孔。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述贯穿开口包括：

在所述层压衬底之上形成抗蚀层；

使用平板印刷术将所述抗蚀层图案化；以及

将所述抗蚀层用作蚀刻掩膜，蚀刻所述层压衬底。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述贯穿开口的宽度与所述多个第一晶圆开口中的每个开口的宽度的比率为大约1:200到大约1:500。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括切割所述层压衬底，以形成多个独立的封装件。

13.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：

在层压衬底上形成多个第一晶圆开口和多个贯穿开口；

将多个第一晶圆放置在所述多个第一晶圆开口内；

在所述多个第一晶圆中的每个晶圆周围形成整体式间隔件，所述整体式间隔件设置在所述层压衬底与所述多个第一晶圆中的每个晶圆的外侧壁之间的间隙内，所述整体式间隔件通过在所述多个第一晶圆中的每个晶圆的顶表面的一部分上部分地延伸而将所述晶圆保持在所述层压衬底内；

对所述多个贯穿开口填装导电材料；以及

在所述层压衬底上形成触点，所述触点中的至少一些与位于所述多个第一晶圆之下的背面触点耦接。