[发明专利]具有不同尺寸通孔的多层电子结构

权利要求书

1.一种多层电子支撑结构，其包括在X-Y平面中延伸并且被通孔层分隔开的至少两个特征层，所述通孔层包括夹在两个相邻的特征层之间的介电材料，所述通孔层包括在垂直于X-Y平面的Z方向上连接相邻特征层的多个通孔柱，其中在所述通孔层中的第一通孔柱具有不同于在所述通孔层中的第二通孔柱的X-Y平面内的尺寸。

2.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述第一通孔柱和所述第二通孔柱之一是基本非圆柱形状的。

3.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中至少一个通孔包括种子层和在所述种子层上电镀的金属层。

4.如权利要求3所述的多层电子支撑结构，其中所述种子层包括铜。

5.如权利要求4所述的多层电子支撑结构，其中所述种子层还包括下方的粘附金属层，所述粘附金属层包括选自钛、铬、钽和钨中的至少一种。

6.如权利要求3所述的多层电子支撑结构，其中所述金属层包括铜。

7.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中第一通孔柱的X-Y平面内最小尺寸比同一通孔层中的第二通孔柱的X-Y平面内最小尺寸大至少20%。

8.如权利要求7所述的多层电子支撑结构，其中第三通孔柱的X-Y平面内最小尺寸比第一通孔柱的X-Y平面内最小尺寸大至少20%。

9.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中至少一个通孔柱具有基本圆形的截面。

10.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中至少一个通孔柱具有方形的截面。

11.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中至少一个通孔在X-Y平面内是不对称的，具有线性形状。

12.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中至少一个通孔柱在X-Y平面内是不对称的，其在X-Y平面内沿第一方向延伸的延伸量为沿与所述第一方向垂直的X-Y平面内的第二方向的延伸量的至少3倍。

13.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中至少一个通孔柱具有小于50微米的直径。

14.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中至少一个通孔柱具有小于40微米的直径。

15.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中至少一个通孔具有30微米及其以下的直径。

16.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述特征层和所述至少一个通孔层通过包括以下步骤的方法制造：

a)获得包括底层通孔层的基板，所述通孔层被处理以暴露出其中的铜；

b)在所述底层通孔层上沉积种子层；

c)在所述种子层上施加第一光刻胶层；

d)曝光并显影所述第一光刻胶层以形成负性图案；

e)在所述负性图案中沉积金属层；

f)剥除所述第一光刻胶层以留下直立的特征层；

g)施加第二光刻胶层；

h)曝光并显影所述第二光刻胶层以产生包括通孔层的负性图案，所述通孔层包括具有不同的面内尺寸的至少两个通孔柱；

i)在所述第二光刻胶层内的负性图案中沉积金属层；

j)剥除所述第二光刻胶层；

k)移除暴露的种子层；和

l)在所述具有不同的面内尺寸的至少两个通孔柱上层压介电材料。

17.如权利要求16所述的多层电子支撑结构，其中所述方法还包括：m)减薄所述介电材料以暴露出所述金属。

18.如权利要求16所述的多层电子支撑结构，其中所述方法还包括：n)在被减薄的表面上沉积金属种子层。

19.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个通孔层通过包括以下步骤的方法制造：

i)获得包括底层特征层的基板，所述特征层被处理以暴露出其中的铜；

ii)用种子层覆盖所述底层特征层；

iii)在所述种子层上沉积金属层；

iv)在所述金属层上施加光刻胶层；

v)曝光得到正性通孔图案；

vi)蚀刻掉暴露出的金属层和种子层；

vii)剥除所述光刻胶，在所述通孔层内留下具有不同的面内尺寸的至少两个组件；以及

viii)在所述通孔层内的所述至少两个组件上层压介电材料。