[发明专利]后钝化结构中的电容器及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，本发明涉及一种后钝化结构中的电容器及其形成方法。

背景技术

在集成电路应用中，越来越多的功能被集成到产品中。例如，不同的功能元件(诸如，3G视频元件、WiFi元件、蓝牙元件以及音频/视频元件)可能需要被集成到一起从而形成一种应用。这些装置的通常所知的一种应用是移动应用，其中形成了移动装置，诸如，手机。

电容器被广泛地使用在移动应用中。当被使用在移动应用中时，电容器可能需要采用高频。例如，在无线电频率中电容器的Q系数需要足够高。击穿电压、泄漏电路等也需要适合相应的应用。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种器件，包括：第一金属焊盘；第一钝化层，包括与所述第一金属焊盘重叠的部分；以及电容器，包括：底部电容器电极，位于所述第一钝化层下方，所述底部电容器包括所述第一金属焊盘；顶部电容器电极，位于所述第一钝化层的所述部分上方；和电容器绝缘体，包括所述第一钝化层的所述部分。

在所述器件中，进一步包括：多个低k介电层，位于所述第一钝化层下方，所述第一钝化层包括非低k介电材料。

在所述器件中，进一步包括：第二钝化层，位于所述第一钝化层和所述第一金属焊盘下方，所述第二钝化层位于所述多个低k介电层上方并且包括非低k介电材料。

在所述器件中，所述底部电容器电极进一步包括：第二金属焊盘，位于所述低k介电层的最上层中，其中，所述第一金属焊盘与所述第二金属焊盘重叠；以及通孔，位于所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘之间且互连所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘。

在所述器件中，进一步包括：附加金属焊盘，与所述第一金属焊盘齐平且由与所述第一金属焊盘相同的材料形成；后钝化互连件(PPI)，位于所述附加金属焊盘上方且与所述附加金属焊盘相连接；以及凸块下金属层(UBM)，位于所述PPI上方且与所述PPI相连接。

在所述器件中，进一步包括：聚合物层，位于所述第一钝化层上方；以及后钝化互连件(PPI)，包括位于所述聚合物层上方的第一部分和延伸到所述聚合物层中且与所述第一部分相连接的第二部分，其中，所述第二部分用作所述顶部电容器电极。

在所述器件中，所述电容器位于半导体晶圆的划片槽中。

根据本发明的另一方面，提供了一种器件，包括：多个低k介电层；第一金属焊盘，位于所述多个低k介电层上方；第一钝化层，包括与所述第一金属焊盘重叠的部分，所述钝化层包括非低k介电材料；第一聚合物层，位于所述第一钝化层上方；以及后钝化互连件(PPI)，包括：第一部分，位于所述第一聚合物层上方；和第二部分，穿透所述第一聚合物层以接触所述第一钝化层，所述第二部分与所述第一金属焊盘重叠以与所述第一金属焊盘一起形成电容器，并且所述第一钝化层与所述第一金属焊盘重叠的所述部分用作所述电容器的电容器绝缘体。

在所述器件中，所述第一钝化层包括下子层和位于所述下子层上方的上子层，所述下子层和所述上子层的材料不同，并且所述PPI的所述第二部分接触所述上子层的顶面。

在所述器件中，所述第一钝化层包括下子层和位于所述下子层上方的上子层，所述下子层和所述上子层的材料不同，并且所述PPI的所述第二部分穿透所述上子层且接触所述下子层的顶面。

在所述器件中，所述下子层包括氧化硅，并且所述上子层包括氮化硅。

在所述器件中，进一步包括：第二聚合物层，位于所述第一聚合物层上方，其中，整个所述PPI被所述第二聚合物层覆盖。

在所述器件中，进一步包括：第二金属焊盘，位于所述低k介电层的最上层中，所述第二金属焊盘的俯视尺寸基本等于所述第一金属焊盘的俯视尺寸；以及通孔，位于所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘之间且互连所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘。

在所述器件中，所述电容器位于半导体晶圆的划片槽中。

在所述器件中，所述电容器位于半导体晶圆的芯片中。