[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

存储器阵列，由多个存储单元串以矩阵的方式配置所形成，其中各该存储单元串由多个电子可重写的存储元件串联耦接而成,所述多个存储单元串按列配置排列，并沿列向编号为偶数编号的存储单元串以及奇数编号的存储单元串；

位元线，耦接该多个存储单元串的漏极侧，位元线按列配置排列，并沿列向编号为偶数编号的位元线以及奇数编号的位元线；

第一源极线，耦接偶数编号的该多个存储单元串的源极侧；

第二源极线，耦接奇数编号的该多个存储单元串的源极侧；

列选择机构，选择该多个存储单元串内列方向的该多个存储元件；

第一选择机构，选择与一感测电路耦接的偶数编号的位元线或奇数编号的位元线，该第一选择机构包括：

偶数选择晶体管，耦接该偶数编号的位元线；

奇数选择晶体管，耦接该奇数编号的位元线；以及

位元线选择晶体管，耦接于该偶数选择晶体管与该奇数选择晶体管的共同接点和该感测电路之间；

第二选择机构，选择与一电压供给源耦接的该偶数编号的位元线或该奇数编号的位元线；以及

源极电压供给机构，供给该第一源极线以及该第二源极线电压，

其中通过该第一选择机构选择该偶数编号的位元线时，通过该第二选择机构选择该奇数编号的位元线，通过该第一选择机构选择该奇数编号的位元线时，通过该第二选择机构选择该偶数编号的位元线，

通过该第一选择机构选择该偶数编号的位元线时，供给该偶数编号的位元线来自该感测电路的一第一电压，通过该源极电压供给机构供给该第一源极线一基准电压，该奇数编号的位元线由来自该电压供给源的一第二电压供给，通过该源极电压供给机构供给该第二源极线一第三电压，该第三电压等于该第二电压，

通过该第一选择机构选择该奇数编号的位元线时，供给该奇数编号的位元线来自该感测电路的该第一电压，通过该源极电压供给机构供给该第二源极线该基准电压，该偶数编号的位元线由来自该电压供给源的该第二电压供给，通过该源极电压供给机构供给该第一源极线该第三电压，

该第一电压等于该第二电压，

构成该第一选择机构的该偶数选择晶体管、该奇数选择晶体管以及该位元线选择晶体管为在与构成该些存储单元串的第二井不同的第一井内形成，构成该第二选择机构的晶体管为在该第二井内形成，

该偶数选择晶体管、该奇数选择晶体管以及该位元线选择晶体管相较于构成该第二选择机构的晶体管为在高电压下工作的晶体管。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该第二电压为预充电电压。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该第一源极线的接触区域与该第二源极线的接触区域为以交错排列的方式配置，该第一源极线以及该第二源极线包括在相互平行的方向延伸的部分。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该第一源极线以及该第二源极线的接触区域的排列图案中，该偶数编号的位元线与该奇数编号的位元线的接触区域的排列图案相同。

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该第一源极线以及该第二源极线为下层金属布线，该偶数编号的位元线与该奇数编号的位元线为上层金属布线。