[发明专利]基板清洗装置以及清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种被配备在例如在基板的被电镀面（表面）上实施一系列的电镀处理并使其干燥的电镀装置的，用纯水等清洗水来清洗由密封构件对表面外周部进行密封并由基板架保持的电镀等处理后的基板的该表面的基板清洗装置以及清洗方法。

背景技术

申请人提出了一种电镀装置，其作为在半导体晶片等的基板的表面上连续地形成凸点等的电镀装置，配备有基板架，该基板架使基板介于第1保持构件（固定保持构件）与第2保持构件（可动保持构件）之间，分别将安装在第2保持构件上的内侧密封构件压接到基板的外周部，将安装在第2保持构件上的外侧密封构件压接到第1保持构件并密封，并且该基板架装卸自如地保持基板。在由该基板架保持的基板的表面上进行电镀后，由基板架保持着基板的表面地进行清洗并干燥（参照专利文献1）。

该电镀装置配备有作为对电镀处理后的基板进行清洗的基板清洗装置的水洗槽（清洗槽），通过将基板同基板架一起浸泡到蓄在水洗槽的内部的纯水等的清洗水中，来同时清洗基板与基板架。

图1按工序顺序来示出了将由基板架保持的半导体晶片等的基板浸泡到清洗槽的纯水等的清洗水中并同基板架一起清洗的以往的一般的基板清洗方法。

首先，如图1（a）所示，用纯水等的清洗水202填满清洗槽200的内部，使保持基板的基板架204向着清洗槽200下降，如图1（b）所示，将由基板架204保持的基板浸泡到清洗槽200内的清洗水202中。由此，由清洗槽200内的清洗水202来清洗基板的表面与整个基板架204。该清洗基本上是通过由液体的浓度差引起的扩散来除去粘到基板或基板架上的药水的清洗。

然后，如图1（c）所示，将由于清洗而有药水扩散了的清洗水202从清洗槽200排掉，其后，如图1（d）所示，将新的清洗水202供给到清洗槽200的内部，重复用该新的清洗水202来清洗基板与整个基板架204这样的QDR（高效率冲洗）清洗所需的次数，例如2～3次。

然后，如图1（e）所示，将基板架204从清洗槽200内的清洗水202中提起，结束清洗。该基板架204的提起速度越慢，粘到基板架或基板上的清洗水的液量越少，由下一工序的电镀液等导致的污染就越少。为了减少清洗水（纯水）的使用量，根据需要，将残留在清洗槽200内的清洗水202使用于下次的基板的清洗。

作为由纯水来清洗半导体晶片的清洗装置，提出了一边通过设置在水洗槽的上部以及侧部的淋浴喷嘴来向着半导体晶片喷射纯水，一边通过纯水的喷射来将蓄在水洗槽内的纯水从水洗槽排掉，其后，将纯水供给到水洗槽内并清洗半导体晶片（参照专利文献2），或一边通过设置在水洗槽的上部以及底部等的淋浴喷嘴来向着半导体晶片喷射纯水，一边通过纯水的喷射来将蓄在水洗槽内的纯水从水洗槽排掉并进行清洗（参照专利文献3）。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】特开2003-247098号公报

【专利文献2】特开昭61-61425号公报

【专利文献3】特开昭62-160728号公报

发明内容

【发明要解决的技术问题】

在以往的由纯水来清洗刚电镀后的基板表面的QDR清洗中，当减少QDR清洗次数，在使基板干燥时，基板表面上会产生干燥斑点（氧化斑点）。该基板表面上产生干燥斑点的原因是由于残留在基板上的清洗水中的电镀液浓度高，在残留在基板上的清洗水中的电镀液浓度低时，基板表面不会干产生干燥斑点。残留在基板上的清洗水是清洗槽内的清洗水。

因此，在以往的QDR清洗中，在由清洗水清洗基板的同时，需要降低清洗槽内的清洗水中的电镀液浓度，QDR清洗次数增加则清洗水（纯水）的使用量增多。

而且，当例如由密封构件对表面外周部进行密封并由基板架来保持基板，在表面外周部与密封构件的接触部D₁（参照图6）上产生环状连续的阶差，在以往的QDR清洗中，由于清洗槽内的清洗水的对流小，粘到上述在接触部D₁上产生的阶梯上的电镀液没有扩散多少，因此，清洗粘到基板的表面外周部与密封构件的接触部D₁以及其附近的电镀液一般较困难，为了均匀地清洗包含基板的外周部的整个表面，需要更进一步地增加QDR清洗次数。

这样地，清洗基板的表面外周部与密封构件的接触部以及其附近较困难这一点，即使在通过使来自的清洗喷嘴（淋浴喷嘴）的清洗水的射流冲到基板表面来清洗基板表面的方法中也几乎一样，为了不产生干燥斑点地均匀地清洗包含基板的外周部的整个表面，需要增大从喷嘴喷射的清洗水的流量。