[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本专利申请要求于2012年2月15日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0015238号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。

技术领域

本发明构思的实施例总体涉及一种半导体装置和/或制造方法，更具体地讲，涉及具有贯通电极(through electrode)或导电孔结构的半导体装置和/或制造该半导体装置的方法。

背景技术

制造具有贯通电极或贯通硅孔(TSV)的半导体装置的工艺可以包括使贯通电极从基底的底表面向外突出、在基底的底表面上沉积传统的化学气相沉积(CVD)层、然后利用化学-机械抛光工艺来暴露贯通电极。传统CVD层可能具有差的台阶覆盖性质。例如，传统CVD层可能形成为在贯通电极上比在其它部分上厚。结果，下绝缘层可能折叠，贯通电极可能形成为在其突出长度方面具有大的偏差。这些可能导致贯通电极在后续平坦化工艺中翘曲或损坏，因此生产良率可能下降。

发明内容

至少一个示例实施例涉及一种制造半导体装置的方法。

在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括：去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。

在另一实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；执行可流动的化学气相沉积，以在第二表面上形成第一下绝缘层。

至少一个示例实施例涉及一种半导体装置。

在一个实施例中，半导体装置包括基底，所述基底具有在其上形成有集成电路的第一表面。基底具有与第一表面相对的第二表面。导电孔结构设置在基底中并且从第二表面突出。第一下绝缘层位于第二表面上，使得至少导电孔结构的端部被暴露。

在另一实施例中，半导体装置包括基底，所述基底具有在其上形成有集成电路的第一表面。基底具有与第一表面相对的第二表面。导电孔结构设置在基底中并且从第二表面突出。可流动的化学气相沉积层位于第二表面上，使得至少导电孔结构的端部被暴露。

至少一个示例实施例涉及一种包括根据上述实施例之一的半导体装置的存储卡、一种信息处理系统等。

附图说明

从下面结合附图进行的简要描述中，示例实施例将被更清楚地理解。如这里所描述的，附图表示非限制性的示例实施例。

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的半导体装置的剖视图。

图2A至图2C是示出设置在根据本发明构思的一些示例实施例的半导体装置中的电连接部分的各种示例的剖视图。

图3是示出包括图1中的半导体装置的半导体封装件的剖视图。

图4A至图4H是示出根据本发明示例实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

图4I至图4K示出了制造半导体装置的方法的可选实施例。

图5A至图5C是示例性示出根据本发明构思的另一示例实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

图5D是示出图5C的改进示例的剖视图。

图6A至图6C是示例性示出根据本发明构思的另一示例实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

图6D和图6E是示出图6C的改进示例的剖视图。

图7A至图7D是示例性示出根据本发明构思的另一示例实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

图7B是示出图7A中的一部分的放大剖视图。

图8A至图8D是示例性示出根据本发明构思的另一示例实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

图8B是示出图8A中的一部分的放大剖视图。

图9A至图9C是示例性示出根据本发明构思的另一示例实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

图10A至图10C是示例性示出根据本发明构思的另一示例实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

图11A至图11C是示例性示出根据本发明构思的另一示例实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

图11D是示出图11C的改进示例的剖视图。

图12A至图12D是示例性示出根据本发明构思的另一示例实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。