[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在基层中形成导电孔结构，所述基层包括第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对；

去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；

在第二表面上形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露，

其中，形成第一下绝缘层的步骤利用旋涂、喷涂和可流动化学气相沉积中的一种不用抛光形成平坦的第一下绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过沉积可流动层并且将所述可流动层转换为固体层来形成第一下绝缘层，其中，所述可流动层包括Si-O、Si-H和Si-OH键中的一种，所述固体层为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一下绝缘层的步骤形成所述第一下绝缘层，使得导电孔结构的从第二表面突出的侧壁的一部分保持为未被第一下绝缘层覆盖。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一下绝缘层的步骤形成所述第一下绝缘层，使得第一下绝缘层的一部分沉积在导电孔结构的从第二表面突出的部分的侧壁上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，第一绝缘层的设置在导电孔结构的侧壁上的部分具有朝向导电孔结构的末端减小的水平宽度。

6.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：

执行平坦化操作，使得导电孔结构的暴露的端部表面仅与第一下绝缘层的表面的一部分共面。

7.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：

在第一下绝缘层上形成第二下绝缘层。

8.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：

执行平坦化操作，使得导电孔结构的暴露表面、第二下绝缘层的表面以及第一下绝缘层的表面共面。

9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

通过化学气相沉积在第二表面上形成第二下绝缘层，第二下绝缘层具有位于导电孔结构的从第二表面突出的侧壁上的折叠部分，

其中，形成第一下绝缘层的步骤在第二下绝缘层上形成第一下绝缘层，使得第一下绝缘层填充所述折叠部分。

10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：

执行平坦化操作，使得导电孔结构的暴露表面、第二下绝缘层的表面和第一下绝缘层的表面共面。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，形成导电孔结构的步骤包括：

在基层的第一表面中形成通孔；

用孔绝缘层衬垫所述通孔；

用导电材料填充所述通孔，以形成导电孔，

其中，形成通孔的步骤在所述基层和第一层间绝缘层中形成通孔，第一层间绝缘层设置在所述基层的第一表面上并且覆盖集成电路。

12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在所述基层的第一表面上形成层间绝缘层，以包封集成电路和连接结构，使得所述连接结构的键合焊盘被暴露，所述连接结构电连接到所述集成电路和导电孔结构。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一下绝缘层的步骤利用旋涂玻璃不用抛光形成平坦的第一下绝缘层。

14.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在基层中形成导电孔结构，所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对；

去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；

执行可流动的化学气相沉积，以在第二表面上形成第一下绝缘层，并且留下导电孔结构的端部表面未被覆盖。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，执行可流动化学沉积的步骤沉积可流动层并且将所述可流动层转换为固体层，其中，所述可流动层包括Si-O、Si-H和Si-OH键中的一种，所述固体层为二氧化硅。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，执行可流动化学气相沉积用第一下绝缘层覆盖导电孔结构的从第二表面突出的部分的侧壁。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，执行可流动化学气相沉积的步骤形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的从第二表面突出的侧壁的一部分保持为未被第一下绝缘层覆盖。