[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201310030815.X | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN103117283A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 王本莲;栗晓;代磊;韩静;杨永菊;蔡科 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G09F9/33 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
现有技术中,为了实现窄边框显示面板,将栅线引线(Gate fan-out in active area,简称GIA)分两部分完成。一部分与栅线层同步工序完成,另一部分与数据线层同步工序完成。在不增加工艺步骤的情况下完成了GIA线的布置,并且大部分GIA线布置在数据线的正下方,保证了较高的开口率。但是,为了不增加工艺步骤,则GIA过孔需要在有源层上与有源层工艺同步完成。由于正常工艺的有源层刻蚀中,只需要进行有源层的刻蚀,而需要保留GI绝缘层。而GIA过孔部分则需要同时刻蚀掉有源层和GI层,以保证后续数据线层工序形成的第二部分GIA线能与栅线层工序形成的第一部分GIA线相互电导通。这样为了保证有源层工序只用一张掩膜版,需要考虑用半色调掩膜half tone mask或者灰色调掩膜gray tone mask,然而这种掩膜工艺成本很高。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置,在既能保证开口率又不增加制作成本的基础上,实现了窄边框技术。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种阵列基板,包括:基板;位于所述基板上的栅极、栅线和位于所述栅线之间的第一栅线引线;覆盖所述栅极、栅线和所述第一栅线引线的栅绝缘层;位于所述栅绝缘层上方的有源层、源极、漏极和数据线;覆盖所述有源层、源极、漏极和数据线的钝化层;位于所述钝化层上方的像素电极图形,所述像素电极图形通过钝化层上的过孔与所述漏极导通;所述方法还包括:
所述栅线将与所述栅线交叉排列的第一栅线引线隔开;
所述第一栅线引线包括信号传输区域和位于所述信号传输区域两端的连接区域,其中所述信号传输区域与所述数据线平行且位于所述数据线下方,所述连接区域位于所述数据线区域的一侧;被所述栅线隔开的两段所述第一栅线引线相邻的连接区域被与所述像素电极图形同层形成的第二栅线引线通过过孔导通,所述过孔在所述钝化层和所述栅绝缘层上;所述栅线通过所述栅线与所述栅线对应的第一栅线引线交叉处上方所述栅绝缘层和钝化层上的过孔与所述第二栅线引线导通,其中所述第二栅线引线与所述第一栅线引线导通构成栅线引线与对应的栅线导通。
可选的,所述栅线和所述第一栅线引线由同一层导电材料通过一次构图工艺形成。
可选的,所述第二栅线引线和所述像素电极图形由同一层导电材料通过一次构图工艺形成。
可选的,所述第一栅线引线的信号传输区域的宽度与所述数据线的宽度相同。
可选的,所述第一栅线引线上的连接区域位于所述数据线的同一侧。
第二方面,提供一种阵列基板的制作方法,包括:
在基板上形成一层导电材料层通过构图工艺形成栅极、栅线和第一栅线引线;
制作覆盖所述栅极、栅线和所述第一栅线引线的栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成有源层、栅极、漏极和数据线;
制作覆盖所述有源层、栅极、漏极和数据线的钝化层;
在所述漏极上方的钝化层上形成第一过孔,在所述栅线与所述栅线对应的第一栅线引线交叉位置的钝化层上形成第二过孔,在所述第一栅线引线的连接区域上方的栅绝缘层和钝化层上形成第三过孔;
在所述钝化层上形成一层透明导电材料层,通过构图工艺形成像素电极图形和第二栅线引线;
其中,所述第二栅线引线通过第三过孔将被所述栅线隔开的两段所述第一栅线引线相邻的连接区域导通,所述第二栅线引线通过所述第二过孔与对应的栅线导通,所述第二栅线引线与所述第一栅线引线导通构成栅线引线与对应的栅线导通。
第三方面,提供一种显示装置,包括阵列基板,其中:
所述阵列基板为第一方面所述的任一阵列基板。
本发明的实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示装置,通过分两部分制作栅线引线,即一部分与栅线同层,另一部分与像素电极图形同层,在既能保证开口率又不增加制作成本的基础上,实现了窄边框技术。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310030815.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的