[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有包含ESD保护用的N型MOS晶体管的多个MOS型晶体管，在所述多个MOS型晶体管间为了电隔离而设置有沟槽隔离区域，所述半导体装置具有：

ESD保护用沟槽隔离区域，其与所述ESD保护用的N型MOS晶体管的漏极区域相接而配置，垂直方向的深度比所述沟槽隔离区域深；

漏极延伸设置区域，在所述ESD保护用沟槽隔离区域的侧面及下表面设置，利用与所述漏极区域相同的导电型的杂质扩散区域而形成；以及

漏极接触区域，经由所述漏极延伸设置区域与所述漏极区域电连接，利用与所述漏极区域相同的导电型的杂质扩散区域而形成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述ESD保护用沟槽隔离区域的底面是角部被倒圆的形状。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述漏极延伸设置区域的薄膜电阻值与所述漏极区域的薄膜电阻值是相同的。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，还具有：

另外的ESD保护用沟槽隔离区域，其与所述ESD保护用的N型MOS晶体管的源极区域相接而配置，垂直方向的深度比所述沟槽隔离区域深；

源极延伸设置区域，在所述另外的ESD保护用沟槽隔离区域的侧面及下表面设置，利用与所述源极区域相同的导电型的杂质扩散区域而形成；以及

源极接触区域，经由所述源极延伸设置区域与所述源极区域电连接，利用与所述源极区域相同的导电型的杂质扩散区域而形成。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，所述源极延伸设置区域的薄膜电阻值与所述源极区域的薄膜电阻值是相同的。