[发明专利]用于增加内外电极间的结合力的电子结构及电子封装构件无效

专利信息
申请号: 201310001272.9 申请日: 2013-01-04
公开(公告)号: CN103915404A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 谢明峰;张育嘉;黄俊彬;彭泳樟 申请(专利权)人: 佳邦科技股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/31
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;李静
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 增加 内外 电极 结合 电子 结构 封装 构件
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电子结构及电子封装构件,尤指一种用于增加内外电极间的结合力的电子结构及电子封装构件。 

背景技术

随着半导体封装技术的演进,被动元件的需求渐渐增加。被动元件为一种不影响信号基本特征而仅使信号通过而未加以更动的电路元件,一般泛指电容器、电阻器、电感器三者。相对于主动元件而言。由于被动元件无法参与电子运动,在电压或电流改变时,其电阻、阻抗并不会随之变化,需通过连接主动元件来运作的零件。各种需要使用电力来驱动的电子产品,皆需使用被动元件来达成电子回路控制的功能,应用范围包含3C产业及其他工业领域。一般来说,被动元件被设置在基板上,且通过焊锡凸块以电性连接于基板。然而,传统被动元件会有因“经过回焊炉后所产生的残留应力”造成内外电极脱落的问题产生。故,如何防止被动元件因“经过回焊炉后所产生的残留应力”而造成内外电极的脱落,已成为该项事业人士所欲解决的重要课题。 

发明内容

本发明实施例在于提供一种用于增加内外电极间的结合力的电子结构及电子封装构件,以防止因“经过回焊炉后所产生的残留应力”造成内外电极的脱落。 

本发明其中一实施例所提供的一种用于增加内外电极间的结合力的电子结构,其包括:一基板单元、一电子单元及一导电单元。所述基板单元包括一基板本体。所述电子单元包括至少一设置在所述基板本体上的电子封装构件,其中至少一所述电子封装构件包括一第一内电极部、一对应于所述第一内电极部的第二内电极部、一电性接触所述第一内电极部的第一外电极部、及一对应于所述第一外电极部且电性接触所述第二内电极部的第二外电极部,且所述第一外电极部与所述第二外电极部分别包覆至少一所述电子封装构件的两个相反的侧端部。所述导电单元包括一设置于所述基板本体上且电性接触所述第一外电极部的第一导电体及一设置于所述基板本体上且电性接触所述第二外电极部的第二导电体。其中,至少一所述电子封装构件具有一第一缺槽及一对应于所述第一缺槽的第二缺槽,所述第一内电极部的顶端具有一连接至所述第一缺槽的第一顶端连接面,所述第二内电极部的顶端具有一连接至所述第二缺槽的第二顶端连接面,所述第一外电极部延伸至所述第一缺槽内以接触所述第一顶端连接面,且所述第二外电极部延伸至所述第二缺槽内以接触所述第二顶端连接面。 

本发明另外一实施例所提供的一种用于增加内外电极间的结合力的电子封装构件,其包括:一封装体、至少一电子元件、一第一内电极部、一第二内电极部、一第一外电极部及一第二外电极部。所述封装体具有一第一侧端部及一相对于所述第一侧端部的第二侧端部。至少一所述电子元件设置在所述封装体内。所述第一内电极部设置在所述封装体内。所述第二内电极部设置在所述封装体内且对应于所述第一内电极部,其中至少一所述电子元件电性连接于所述第一内电极部与所述第二内电极部之间。所述第一外电极部电性接触所述第一内电极部,其中所述第一外电极部包覆所述封装体的所述第一侧端部。所述第二外电极部对应于所述第一外电极部且电性接触所述第二内电极部,其中所述第二外电极部包覆所述封装体的所述第二侧端部。其中,至少一所述电子封装构件具有一形成在所述封装体上的第一缺槽及一形成在所述封装体上且对应于所述第一缺槽的第二缺槽,所述第一内电极部的顶端具有一连接至所述第一缺槽的第一顶端 连接面,所述第二内电极部的顶端具有一连接至所述第二缺槽的第二顶端连接面,所述第一外电极部延伸至所述第一缺槽内以接触所述第一顶端连接面,且所述第二外电极部延伸至所述第二缺槽内以接触所述第二顶端连接面。 

本发明的有益效果可以在于,本发明实施例所提供的电子结构与电子封装构件,其可通过“至少一所述电子封装构件具有一形成在所述封装体上的第一缺槽(notch)及一形成在所述封装体上且对应于所述第一缺槽的第二缺槽”与“所述第一外电极部延伸至所述第一缺槽内以接触所述第一顶端连接面,且所述第二外电极部延伸至所述第二缺槽内以接触所述第二顶端连接面”的设计,以增加所述第一内电极部与所述第一外电极部之间的结合力(也即可避免所述第一外电极部脱离所述第一内电极部),并且增加所述第二内电极部与所述第二外电极部之间的结合力(也即可避免所述第二外电极部脱离所述第二内电极部)。 

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而所附图式仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制者。 

附图说明

图1为本发明第一实施例所披露的电子封装构件的第一缺槽与第二缺槽形成前的侧视示意图。 

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