[发明专利]固化性组合物及固化物

说明书

技术领域

本发明涉及固化性组合物及其固化物，详细而言，涉及能够得到加工成型性优异、耐热性高的固化物的固化性组合物及其固化物。

背景技术

SiC（碳化硅）与硅相比电绝缘性和通电时的能量损失小，因此发热量少、耐热性也高。因此，SiC功率半导体可以处理比硅功率半导体大的电力，目前，作为替代广泛使用的硅功率半导体的下一代功率半导体，得到积极研究。硅功率半导体装置的耐热极限温度约为150℃，而SiC功率半导体装置为了处理更大的电力而研究在240～300℃下使用，对于SiC功率半导体装置的构件也要求超过240℃的耐热性。

迄今，用树脂进行模塑的半导体的模塑树脂主要使用环氧树脂。一般，树脂以Tg（玻璃化转变温度）为界，粘弹性、热膨胀系数等物性会大幅变化，因此模塑树脂的Tg要求比半导体的使用温度高。然而，现有的环氧树脂的Tg大致为200℃以下，在超过240℃的使用环境下存在材料的软化、产生裂纹等问题（例如参见专利文献1～2）。此外，具有240℃以上的Tg的环氧树脂由于固化前的树脂的熔点高，因此固化温度也高，且固化需要长时间，因而对其他构件的不良影响、生产率的降低成为问题（例如参见专利文献3）。此外，也研究了使用聚酰亚胺等环氧树脂以外的树脂（例如参见专利文献4），但对于所要求的性能而言是不充分的。

另一方面，也已知有含有多元酚化合物的乙烯基苄基醚化合物的固化性组合物（例如参见专利文献5～7），但Tg均小于240℃，作为SiC功率半导体的模塑树脂是不充分的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-036085号公报

专利文献2：日本特开2006-269730号公报

专利文献3：日本特开2011-184650号公报

专利文献4：日本特开2010-222392号公报

专利文献5：日本特开2000-258932号公报

专利文献6：日本特开2004-189901号公报

专利文献7：日本特开2010-202778号公报

发明内容

发明要解决的问题

因此，本发明的目的在于提供能够得到加工成型性优异、耐热性高、具有高至可作为SiC功率半导体的模塑树脂使用的Tg的固化物的固化性组合物及其固化物。

用于解决问题的方案

本发明人等鉴于前述问题进行了深入研究，结果发现，含有特定结构的化合物的固化性组合物的加工成型性优异、固化后的耐热性高，从而完成了本发明。即，本发明是一种固化性组合物，其含有作为（A）成分的在分子中具有至少2个下述通式（1）所示的部分结构的化合物100质量份、作为（B）成分的热自由基产生剂0.5～3质量份以及作为（C）成分的其他自由基反应性化合物0～50质量份。

（式中，环A表示苯环或环己基环，R¹表示碳数1～6的亚烷基，R²表示碳数1～4的烷基，a表示0或1的数，b表示0～3的整数，c表示1或2的数。）

本发明的固化性组合物优选的是，前述（A）成分为下述通式（2）或通式（3）所示的化合物。

（式中，R³表示碳数1～4的烷基，d表示0～2的整数，X¹表示氧原子、硫原子、亚磺酰基、磺酰基、羰基、亚苯基、亚环己基（除1,1-亚环己基以外）、下述通式（4）所示的基团或直接键合，R¹、R²、a、b和c与通式（1）同义。）

（式中，R⁴和R⁵各自独立表示氢原子、三氟甲基或碳数1～12的烃基。其中，R⁴和R⁵为碳数1～12的烃基时，R⁴和R⁵可以彼此相连。）

（式中，R¹、R²、a、b和c与通式（1）同义。）

此外，本发明的固化性组合物优选的是，其还含有填料作为（D）成分。

本发明的传递成型用料片（tablet）的特征在于，其由前述固化性组合物形成。

本发明的固化物的特征在于，其使前述固化性组合物固化而成。