[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法和III族氮化物结晶

权利要求书

1.一种III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，该制造方法包括下述工序(1)和工序(2)：

(1)覆膜形成工序，在该工序中，通过将III族氮化物单晶在1000℃以上进行热处理而形成含有含III族元素的氧化物、氢氧化物和/或羟基氧化物的覆膜；

(2)覆膜除去工序，在该工序中，将该覆膜除去。

2.如权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，所述覆膜在所述单晶上被直接形成。

3.如权利要求1或2所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，在氧源的存在下进行热处理。

4.如权利要求1～3任一项所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，在氧化铝、氧化锆、二氧化钛、或含有它们中的至少一种的烧结体的存在下进行热处理。

5.如权利要求1～4任一项所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，在氧化铝或含有氧化铝的烧结体的存在下进行热处理。

6.如权利要求1～5任一项所述的III族氮化物结晶的制造方法，其特征在于，该制造方法进一步具有加压工序。

7.一种III族氮化物结晶，其特征在于，该结晶在M面含有基底面位错以50nm～500nm的间隔排列的位错聚集体，该位错聚集体的最大长度为5μm以上。

8.如权利要求7所述的III族氮化物结晶，其特征在于，所述位错聚集体在M面存在8×10³个/cm²以上。

9.如权利要求7或8所述的III族氮化物结晶，其特征在于，以M面上的位错聚集体的个数密度(A)与孤立位错的个数密度(B)之比表示的位错集聚度(A/B)为1%以上。

10.如权利要求7～9任一项所述的III族氮化物结晶，其特征在于，使结晶生长时的生长方法为C面生长。

11.一种III族氮化物结晶，其特征在于，下述的Δd/d(ave)为4×10^-5以下；

Δd/d(ave)=[d(max)-d(min)]/d(ave)

上述式中，d(max)、d(min)和d(ave)表示沿着生长方向测定与外延生长方向正交的结晶面的晶格面间隔时的最大值、最小值和平均值。