[发明专利]碳化硅纵型场效应晶体管有效
| 申请号： | 201280015887.0 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN103460390B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 原田祐一;原田信介;星保幸;岩室宪幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 场效应 晶体管 | ||
1.一种碳化硅纵型场效应晶体管，具备：
第1导电型的碳化硅基板和在该第1导电型碳化硅基板表面上形成的低浓度的第1导电型碳化硅层；
在该第1导电型碳化硅层表面上选择地形成的第2导电型区域；
在该第2导电型区域内形成的第1导电型源极区域；
在第2导电型区域内的第1导电型源极区域之间形成的高浓度的第2导电型区域；
与该高浓度的第2导电型区域以及第1导电型源极区域电连接的源极电极；
在从形成于相邻的第2导电型区域上的第1导电型源极区域到第2导电型区域以及第1导电型碳化硅层上所形成的栅极绝缘膜；
形成于该栅极绝缘膜上的栅极电极；和
在第1导电型碳化硅基板的背面侧上的漏极电极，
该碳化硅纵型场效应晶体管在第2导电型区域与第1导电型碳化硅层之间设置雪崩产生单元。
2.一种碳化硅纵型场效应晶体管，具备：
第1导电型的碳化硅基板和在该第1导电型碳化硅基板表面上形成的低浓度的第1导电型碳化硅层；
在该第1导电型碳化硅层表面上选择地形成的第2导电型区域；
在该第2导电型区域内形成的第1导电型源极区域；
在第2导电型区域内的第1导电型源极区域之间形成的高浓度的第2导电型区域；
与该高浓度的第2导电型区域以及第1导电型源极区域电连接的源极电极；
在从形成于相邻的第2导电型区域上的第1导电型源极区域到第2导电型区域以及第1导电型碳化硅层上所形成的栅极绝缘膜；
形成于该栅极绝缘膜上的栅极电极；和
在第1导电型碳化硅基板的背面侧上的漏极电极，
该碳化硅纵型场效应晶体管在第2导电型区域下形成高浓度的第2导电型区域。
3.一种碳化硅纵型场效应晶体管，具备：
第1导电型的碳化硅基板和在该第1导电型碳化硅基板表面上形成的低浓度的第1导电型碳化硅层；
在该第1导电型碳化硅层表面上选择地形成的第2导电型区域；
在该第1导电型碳化硅层以及第2导电型区域的表面上形成的第2导电型碳化硅层；
在该第2导电型碳化硅层的第1导电型碳化硅层上选择地形成的第1导电型区域；
在第2导电型碳化硅层内形成的第1导电型源极区域；
在该第2导电型碳化硅层内的第1导电型源极区域之间形成的高浓度的第2导电型区域；
与该高浓度的第2导电型区域以及第1导电型源极区域电连接的源极电极；
在从形成于相邻的第2导电型碳化硅层上的第1导电型源极区域到第2导电型碳化硅层以及第1导电型区域上所形成的栅极绝缘膜；
形成于该栅极绝缘膜上的栅极电极；
第1导电型碳化硅基板的背面侧上的漏极电极，
该碳化硅纵型场效应晶体管在形成于第1导电型碳化硅层内的第2导电型区域下形成高浓度的第2导电型区域。
4.一种碳化硅纵型场效应晶体管，具备：
第1导电型的碳化硅基板和在该第1导电型碳化硅基板表面上形成的低浓度的第1导电型碳化硅层；
在该第1导电型碳化硅层表面上选择地形成的第2导电型区域；
在该第2导电型区域内形成的第1导电型源极区域；
在第2导电型区域内的第1导电型源极区域之间形成的高浓度的第2导电型区域；
与该高浓度的第2导电型区域以及第1导电型源极区域电连接的源极电极；
在从形成在相邻的第2导电型区域上的第1导电型源极区域到第2导电型区域以及第1导电型碳化硅层上所形成的栅极绝缘膜；
形成于该栅极绝缘膜上的栅极电极；和
第1导电型碳化硅基板的背面侧上的漏极电极，
在该碳化硅纵型场效应晶体管中，第2导电型区域的一部分形成得较浅。
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