[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

说明书

技术领域

本申请涉及一种光电子半导体芯片以及一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法。

背景技术

已知发光二极管芯片，其中在具有设为用于产生辐射的有源区域的半导体本体和载体元件之间设置有镜层，所述镜层设为用于，反射在有源区域中产生的辐射进而提高总体上发射的辐射功率。然而，已证实的是，在这种半导体芯片中能够出现退化，例如由于镜层的氧化或在湿气作用于半导体芯片时。

发明内容

目的是提出一种半导体芯片，所述半导体芯片具有改进的老化稳定性和降低的相对于湿气的敏感性。此外，应当提出一种方法，借助所述方法能够以简单且可靠的方法制造有效的光电子半导体芯片。

所述目的通过独立权利要求的主题来实现。设计方案和改进形式是从属权利要求的主题。

根据一个实施形式，光电子半导体芯片具有半导体本体和载体，在所述载体上设置半导体本体。半导体本体具有有源区域，所述有源区域优选地设为用于产生或接收辐射。有源区域设置在第一导电类型的第一半导体层和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层之间。第一半导体层设置在有源区域的朝向载体的一侧上。第一半导体层与设置在载体和半导体本体之间并且优选地直接邻接于第一半导体层的第一连接层导电地连接。在第一连接层和载体之间设置有封装层。在半导体芯片的俯视图中，封装层至少局部地突出于对半导体本体限界的侧面。

借助于封装层，优选地实施为用于在有源区域中产生或接收的辐射的镜层的第一连接层与周围环境分离。所述封装层能够阻止空气或湿气渗入到第一连接层中。此外，封装层能够抑制第一连接层的材料、例如银迁移。

封装层优选地覆盖半导体本体的朝向载体的主面的区域，在所述区域中主面不被第一连接层覆盖。尤其优选地，所述区域完全由封装层覆盖，其中封装层还优选地直接邻接于主面。

在一个优选的设计方案中，封装层在俯视图中在整个环周上、也就是沿着半导体本体的整个环周环绕半导体本体。此外，封装层在整个环周上沿着半导体本体的侧面邻接于第一半导体层。借助于突出于半导体本体的设计方案，将封装层构成为，使得半导体本体的主面在制造期间存在轻微的调节偏差的情况下也沿着半导体本体的侧面完全由封装层所覆盖。

换言之，半导体本体在半导体芯片的俯视图中优选地完全设置在封装层的外边缘之内。

在另一个优选的设计方案中，封装层的突出于半导体本体的侧面的区域的主延伸平面平行于有源区域的主延伸平面伸展。换言之，封装层平坦地或基本上平坦地向外延展超出半导体本体的侧面。因此，半导体本体的侧面不具有封装层的材料。

在另一个优选的设计方案中，第一连接层的外边缘在半导体芯片的俯视图中完全在半导体本体之内伸展。因此，第一连接层不在任何位置突出于半导体本体。因此，能够简单地实现保护第一连接层免受外部的环境影响。

在另一个优选的设计方案中，封装层构成为是金属的。此外，优选地，封装层构成为是多层的。尤其优选地，封装层具有金层。

第一连接层优选地包含银或由银制成。银的特征在于在可见光谱范围中尤其高的反射率。替选地或补充地，第一连接层能够包含具有高的反射率的其他的材料，例如铝或钯。

在另一个优选的设计方案中，封装层在背离半导体本体的一侧上完全地覆盖第一连接层。此外，优选地，封装层直接地邻接于第一连接层。

在一个优选的设计方案中，半导体本体具有至少一个凹部，所述凹部从载体起延伸穿过有源区域。在凹部中，第二半导体层优选地与第二连接层导电地连接。

第一连接层优选局部地设置在半导体本体和第二连接层之间。

为了避免电短路，优选地，在第一连接层和第二连接层之间，尤其在封装层和第二连接层之间设置有第一绝缘层。封装层优选地构成为，使得第一绝缘层没有邻接于半导体本体的第一主面。换言之，第一绝缘层在主面的任何位置上在垂直于主面的且朝载体伸展的方向上与载体隔开。

在用于制造多个光电子半导体芯片的方法中，在衬底上提供半导体层，其中半导体层具有有源区域，所述有源区域设置在第一导电类型的第一半导体层和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层之间。第一连接层构成在半导体层序列上。封装层构成在第一连接层上。构成具有半导体层序列和载体的复合件。多个半导体本体由半导体层序列构成，其中局部地暴露封装层。复合件被分成多个半导体芯片。

方法步骤优选地以上述列举的顺序执行。但是，至少关于个别步骤，其他的次序也能够是适合的。