[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片(1)，具有半导体本体(2)和载体(7)，在所述载体上设置有所述半导体本体，其中

-所述半导体本体具有有源区域(20)，所述有源区域设置在第一导电类型的第一半导体层(21)和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层(22)之间；

-所述第一半导体层设置在所述有源区域的朝向所述载体的一侧上；

-所述第一半导体层与设置在所述载体和所述半导体本体之间的第一连接层(31)导电地连接；

-在所述第一连接层和所述载体之间设置有封装层(6)；并且

-所述封装层在所述半导体芯片的俯视图中至少局部地突出于对所述半导体本体限界的侧面(26)。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中所述封装层在整个环周上环绕所述半导体本体。

3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，

其中所述封装层局部地直接邻接于所述第一半导体层。

4.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，

其中所述封装层在整个环周上沿着所述半导体本体的所述侧面邻接于所述第一半导体层。

5.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，

其中所述封装层的突出于所述半导体本体的所述侧面的区域(65)的主延伸平面平行于所述有源区域的主延伸平面伸展。

6.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，

其中所述第一连接层的外边缘(310)在所述半导体芯片的俯视图中完全在所述半导体本体之内伸展。

7.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，

其中所述封装层构成为是金属的。

8.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，

其中所述第一连接层包含银、钯或铝并且所述封装层具有金层。

9.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，

其中所述封装层在背离所述半导体本体的一侧上完全地覆盖所述第一连接层。

10.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，

其中所述半导体本体具有至少一个凹部(25)，所述凹部从所述载体起延伸穿过所述有源区域，其中所述第二半导体层在所述凹部中与第二连接层(32)导电地连接。

11.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，

其中所述第一连接层局部地设置在所述半导体本体和所述第二连接层之间。

12.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中所述封装层直接邻接于所述第一连接层并且完全覆盖所述半导体本体的朝向所述载体的主面(23)的区域并且直接邻接于所述主面，在所述区域中，所述主面不被所述第一连接层覆盖。

13.一种用于制造多个光电子半导体芯片(1)的方法，所述方法具有以下步骤：

a)在衬底(28)上提供半导体层序列(200)，其中所述半导体层序列具有有源区域(20)，所述有源区域设置在第一导电类型的第一半导体层(21)和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层(22)之间；

b)在所述半导体层序列上构成第一连接层(31)；

c)在所述第一连接层上构成封装层(6)；

d)构成复合件(8)，所述复合件具有所述半导体层序列和载体；

e)由所述半导体层序列构成多个半导体本体(2)，其中局部地暴露所述封装层；以及

f)将所述复合件分成多个半导体芯片。

14.根据权利要求13所述的方法，

其中将用于所述半导体层序列的生长衬底(28)移除。

15.根据权利要求13或14所述的方法，

其中制造根据权利要求1至12之一所述的半导体芯片。