[发明专利]半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：

至少含有SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、ZnO，CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属是氧化物，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K。

2.根据权利要求1所述的半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：

其中，在50℃～550℃的温度范围中，平均线膨胀系数在3×10^‐6～4.5×10^‐6的范围内。

3.根据权利要求2所述的半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：

含有CaO、MgO、以及BaO中的全部，以作为所述碱土金属的氧化物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：

共计含有SiO₂和B₂O₃在55mol%以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：

进一步含有从镍氧化物、铜氧化物及锰氧化物构成的群中选择的至少1种金属氧化物。

6.根据权利要求4所述的半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：

含有所述镍氧化物，以作为从镍氧化物、铜氧化物及锰氧化物构成的群中选择的至少1种金属氧化物。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：

第1工程，准备具有pn结露出的pn结露出部的半导体元件

第2工程，形成覆盖所述pn结露出部的玻璃层

其中，所述第2工程中，是使用至少含有SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、ZnO，CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K的半导体接合保护用玻璃复合物形成所述玻璃层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第1工程包括准备具有与主面平行的pn结的半导体基体的准备工程、以及通过从所述半导体基体一侧的表面形成深度超过所述pn结的沟道，在所述沟道的内部形成所述pn结露出部的工程；

所述第2工程包括形成覆盖位于所述沟道内部的所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工程包括形成直接覆盖位于所述沟道内部的所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工程包括在所述沟道内部的所述pn结露出部上形成绝缘膜的工程，以及，形成介于所述绝缘膜覆盖所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第1工程包括在半导体基体表面形成所述pn结露出部的工程，

所述第2工程包括形成覆盖位于所述半导体基体表面的所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工程包括形成直接覆盖位于所述半导体基体表面的所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工程包括在所述沟道内部的所述pn结露出部上形成绝缘膜的工程，以及，形成介于所述绝缘膜覆盖所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

14.根据权利要求7～13中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述半导体接合保护用玻璃复合物，在50℃～550℃的温度范围中，平均线膨胀系数在3×10^‐6～4.5×10^‐6的范围内。