[实用新型]一种外延标记

权利要求书

一种外延标记，包括： 

衬底； 

埋层光刻标记，形成在所述衬底上； 

第一消耗层，以所述埋层光刻标记为边界形成在所述衬底中； 

埋层氧化层，形成在所述第一消耗层上； 

第二消耗层，以所述埋层光刻标记为边界形成在所述衬底中且包围所述的第一消耗层，其中，所述第一消耗层和第二消耗层在所述埋层光刻标记边界相接处形成台阶差作为光刻对准标记； 

第二氧化层，以所述埋层光刻标记为边界形成在所述第二消耗层上； 

第一氧化层，以所述埋层光刻标记为边界形成在所述第二氧化层上； 

外延层，形成在所述衬底之上，位于所述第二消耗层、第二氧化层和第一氧化层与衬底边沿之间的打开口处。 

如权利要求1所述的外延标记，其特征在于，所述第一氧化层至所述埋层光刻标记的距离大于等于外延厚度的1.5倍。 

如权利要求1所述的外延标记，其特征在于，所述光刻对准标记包括对位标记、线宽测试标记、对位检查标记和游标检查标记中的一种或任意组合。 

如权利要求1所述的外延标记，其特征在于，当所述外延层形成后，再生长光刻层，所述光刻层的数目为n时，留有的埋层光刻标记的数目可以大于等于n。 

如权利要求4所述的外延标记，其特征在于，对需要生长的任意一个光刻层或所有光刻层留有至少一所述光刻对准标记。 

如权利要求5所述的外延标记，其特征在于，生成的各光刻层利用所述光刻对准标记，对光刻场偏、光刻线宽进行检查和/或测量。 

如权利要求1所述的外延标记，其特征在于，所述衬底为硅衬底或锗硅 衬底或III‑V族元素化合物衬底，其中，所述硅衬底为<111>晶向的P型半导体衬底。 

如权利要求1所述的外延标记，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为 

如权利要求1所述的外延标记，其特征在于，所述外延层的厚度为1um～100um。