[实用新型]半导体器件系统级封装结构及封装模组有效

专利信息
申请号: 201220506266.X 申请日: 2012-09-29
公开(公告)号: CN202772129U 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 王之奇;喻琼;王蔚 申请(专利权)人: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体器件 系统 封装 结构 模组
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域技术,尤其涉及一种半导体器件系统级封装结构及封装模组。

背景技术

系统级封装,是指将多个具有不同功能的有源组件与无源组件,以及诸如微机电系统(MEMS)、光学(Optics)元件等其它元件组合在同一封装体,使其成为可提供多种功能的单颗标准封装组件,形成一个系统或子系统。其可以灵活而及时地对个别芯片或器件进行升级换代,因此可以缩短IC设计周期,降低设计费用,减少芯片测试时间。另外,系统级封装产品设计弹性大、开发时间快速,开发成本低,整合密度高,尺寸小,并使用更少的系统电路板空间,让产品设计拥有更多的发挥空间。

现有地系统级封装采用金属引线工艺,将芯片与芯片间的焊盘用金属线进行引线键合,起到电性连接的作用。然而,这样的封装方式会导致最后的产品尺寸较大,且生产效率较低。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种解决上述技术问题的半导体器件系统级封装结构及封装模组。

其中,该半导体器件系统级封装结构,包括:

第一芯片,所述第一芯片包括设有再分布第一焊垫和控制电路的第一面,和与所述第一面相背的第二面,所述控制电路电性连接所述再分布第一焊垫;

第二芯片,所述第二芯片包括设有第二焊垫203和控制电路的第一面,和与所述第一面相背的第二面,所述控制电路电性连接所述第二焊垫203;

所述再分布第一焊垫和所述第二焊垫203贴合并电性连接。

作为本实用新型的进一步改进,所述半导体器件系统级封装结构还包括设置于所述第一芯片的第一面上的焊球,所述焊球电性连接所述第一芯片的控制电路,所述焊球直径大于所述第二芯片的厚度。

作为本实用新型的进一步改进,所述半导体器件系统级封装结构还包括设置于所述第一芯片的第一面上的焊球,所述焊球电性连接所述第一芯片的控制电路,所述焊球直径小于所述第二芯片的厚度。

作为本实用新型的进一步改进,所述再分布第一焊垫与所述第二焊垫203间设有各向异性导电胶。

相应地,该半导体器件系统级封装模组,包括:

半导体器件系统级封装结构和与所述半导体器件系统级封装结构电性连接的外接电路板;所述半导体器件系统级封装结构包括:

第一芯片,所述第一芯片包括设有再分布第一焊垫和控制电路的第一面,和与所述第一面相背的第二面,所述控制电路电性连接所述再分布第一焊垫,所述第一芯片的第一面上设有焊球,所述焊球电性连接所述第一芯片的控制电路和所述外接电路板;

第二芯片,所述第二芯片包括设有第二焊垫203和控制电路的第一面,和与所述第一面相背的第二面,所述控制电路电性连接所述第二焊垫203;

所述再分布第一焊垫和所述第二焊垫203电性连接。

作为本实用新型的进一步改进,所述焊球直径大于所述第二芯片的厚度。

作为本实用新型的进一步改进,所述焊球直径小于所述第二芯片的厚度。

作为本实用新型的进一步改进,所述外接电路板设有配合所述第二芯片的中空部,所述第二芯片至少部分容纳于所述中空部内。

作为本实用新型的进一步改进,所述再分布第一焊垫与所述第二焊垫203间设有各向异性导电胶。

与现有技术相比,本实用新型通过芯片间相对的电连接,使得多个芯片的系统级封装尺寸大大缩小、生产效率提高、工艺简单。

附图说明

图1是本实用新型一实施方式中第一芯片的俯视结构示意图;

图2是本实用新型一实施方式中第二芯片连接第一芯片的俯视结构示意图;

图3是本实用新型一实施方式中半导体器件系统级封装结构的侧视结构示意图;

图4是本实用新型一实施方式中半导体器件系统级封装结构与PCB板连接的侧视结构示意图;

图5是本实用新型另一实施方式中半导体器件系统级封装结构的侧视结构示意图;

图6是另一实施方式中半导体器件系统级封装结构与PCB板连接的俯视结构示意图;

图7是图6V-V’剖视线方向的立体结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶方半导体科技股份有限公司,未经苏州晶方半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220506266.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top