[实用新型]一种封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及机械封装领域，尤其涉及一种封装结构。

背景技术

系统级封装（SiP，System in Package）是一种将多种电子元件（如微处理器、存储器、微机电系统、光学器件、被动电子元件等）在封装时集成在一起的系统构装方式。

随着用户对电子元件集成度的要求越来越高，SiP技术也得到了广泛的应用，现有技术中，系统级封装需要集成某些被动电子元件时，会先将该已经制作好的被动电子元件通过表面贴（SMT）的方式焊接在基板（substrate）上，然后再和其它器件封装成一个整体。

例如，当系统需要集成电感时，会直接按照用户的需求将电感值固定的电感填入基板中进行封装。

但是，有时候电感会超出封装体所能承受的尺寸范围，或者用户在实际使用过程中会需要用到不同的电感量，为此，现有技术的SiP方式中，往往需要被迫增大封装体尺寸，或封装多个电感量不同的电感以满足用户的需求，然而这样却会占用大量的空间，影响了系统集成度和封装的效果。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种封装结构，能够节省封装空间，从而提高系统集成度和封装的效果。

本实用新型实施例提供的封装结构，包括基板；

所述基板上设置有第一金属包围结构以及第二金属包围结构；

所述第一金属包围结构和所述第二金属包围结构通过基板上的连接孔相连接，以形成螺旋线圈。

可选地，所述基板上还开设有槽坑；

所述第一金属包围结构位于所述槽坑的顶部，所述第二金属包围结构位于所述槽坑的底部；

所述螺旋线圈形成于所述槽坑的周围。

可选地，所述第二金属包围结构包括若干条金属绕线以及若干个金属键合部；

所述金属绕线铺设于所述槽坑底部；

所述金属键合部由所述金属绕线通过所述基板上的连接孔从所述槽坑的侧面向所述基板的表面延伸形成，所述金属键合部分布于所述槽坑表面的两侧；

所述第一金属包围结构包括若干条金属引线；

所述槽坑表面的两侧的金属键合部由所述金属引线连接，使得被连接的任意两个金属键合部之间形成通路。

可选地，所述槽坑底部铺设的金属绕线均属于同一个螺旋线圈；

所述每条金属绕线的两端分别从所述槽坑的两个侧面向所述基板的表面延伸，以在所述槽坑表面的两侧形成对称分布的两个金属键合部。

可选地，所述槽坑底部铺设的金属绕线属于不同的螺旋线圈；

所述每条金属绕线的两端分别从所述槽坑的两个侧面向所述基板的表面延伸，以在所述槽坑表面的两侧形成对称分布的两个金属键合部。

可选地，所述每条金属绕线的两端分别从所述槽坑的两个侧面向所述基板的表面延伸，以在所述槽坑表面的两侧形成对称分布的2N个金属键合部，所述N为大于1的正整数；

位于所述槽坑表面同一侧的N个金属键合部分布于同一表面，或分别分布于不同的台阶面。

可选地，所述基板包含第一油墨层、第二油墨层、第一线路层、第二线路层以及芯板层；

所述槽坑位于所述芯板层内，所述芯板层为绝缘层；

所述金属绕线位于所述芯板层底部的第二线路层，所述金属键合部位于所述芯板层顶部的第一线路层；

所述连接孔贯通所述芯板层以连接所述金属绕线以及金属键合部；

所述第一线路层的表面涂覆有第一油墨层，所述第二线路层的表面涂覆有第二油墨层。

可选地，所述第一金属包围结构包括若干条金属绕线以及若干个金属键合部；

所述金属绕线铺设于所述槽坑顶部；

所述金属键合部由所述金属绕线通过所述基板上的连接孔从所述槽坑的侧面向所述基板的表面延伸形成，所述金属键合部分布于所述槽坑表面的两侧；

所述第二金属包围结构包括若干条金属引线；

所述槽坑表面的两侧的金属键合部由所述金属引线连接，使得被连接的任意两个金属键合部之间形成通路。

可选地，所述第一金属包围结构包括上表面金属绕线、上表面金属键合部以及上表面金属引线；

所述上表面金属绕线铺设于所述槽坑的侧面；

所述上表面金属键合部由所述上表面金属绕线通过所述基板上的连接孔向所述基板的上表面延伸形成，所述上表面金属键合部分布于所述基板上表面的两侧；

所述基板上表面的两侧的上表面金属键合部由所述上表面金属引线连接；

所述第二金属包围结构包括下表面金属绕线、下表面金属键合部以及下表面金属引线；