[实用新型]一种集成电路及其保护电路有效
| 申请号： | 201220163864.1 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN202651110U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 郑石德;孙亚亚;史蒂文·莱比格尔;T·戴格尔;J·L·斯图兹 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;武晨燕 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 及其 保护 电路 | ||
1.一种集成电路的保护电路，其特征在于，该保护电路包括：
将自身接地节点通过第一隔离器件接入电源地的电路模块；
在集成电路输入负电压时处于截止状态的第一隔离器件；
提供电压参考基点的电源地。
2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一隔离器件为在集成电路输入正电压时处于导通状态的隔离器件。
3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一隔离器件为肖特基二极管，所述肖特基二极管的正极连接所述电路模块的接地节点，负极连接所述电源地。
4.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一隔离器件为NMOS，所述NMOS的栅极连接集成电路的电压输入节点，源极连接所述电路模块的接地节点，漏极连接所述电源地。
5.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述NMOS的栅极与源极间还连接稳定栅极电压的稳压二极管；
所述NMOS的栅极与集成电路的电压输入节点之间还连接限制通过所述稳压二极管的电流的电阻。
6.一种集成电路，其特征在于，该集成电路包括：
将自身接地节点通过第一隔离器件接入电源地的电路模块；
在集成电路输入负电压时处于截止状态的第一隔离器件。
7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述第一隔离器件为在集成电路输入正电压时处于导通状态的隔离器件。
8.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述第一隔离器件为肖特基二极管，所述肖特基二极管的正极连接所述电路模块的接地节点，负极连接电源地。
9.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述第一隔离器件为NMOS，所述NMOS的栅极连接集成电路的电压输入节点，源极连接所述电路模块的接地节点，漏极连接所述电源地。
10.根据权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述NMOS的栅极与源极间还连接稳定栅极电压的稳压二极管；
所述NMOS的栅极与集成电路的电压输入节点之间还连接限制通过所述稳压二极管的电流的电阻。
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