[发明专利]用于半导体封装的内插芯片无效
申请号: | 201210580980.8 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103456688A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 马克·格里斯沃尔德 | 申请(专利权)人: | 美国博通公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L25/065 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 田喜庆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 封装 内插 芯片 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装,尤其涉及用于半导体封装的内插芯片。
背景技术
集成电路(Integrated circuit,IC)产品继续变得日益集成化。提高产品的集成度可能需要增加集成电路产品的元件数量,同时必须被IC产品容纳。一种制造IC的方法包括使用单个大型有源芯片以容纳IC产品元件。单个大型有源芯片可以被附接至封装基板。另一种方法中,IC产品的元件分布在两个或多个有源芯片上,其中每个有源芯片都小于单个大型有源芯片。有源芯片与另一个有源芯片电连接以形成IC产品。有源芯片可以以平铺方式放置,也可相互堆叠。
发明内容
本发明提供了一种用于半导体封装的内插芯片,基本如至少一个附图所示和/或结合其进行描述,并在以下更为完整地进行阐述。
(1)一种方法,包括:
在半导体晶圆上光刻形成多个刻线图像;
将所述半导体晶圆切割成内插芯片,使得所述内插芯片包括所述多个刻线图像中的至少部分第一刻线图像和至少部分第二刻线图像。
(2)根据(1)所述的方法,其中,所述内插芯片大于所述第一刻线图像。
(3)根据(1)所述的方法,其中,所述内插芯片大于所述第二刻线图像。
(4)根据(1)所述的方法,其中,所述第一刻线图像和所述第二刻线图像由单刻线产生。
(5)根据(1)所述的方法,包括通过所述内插芯片将所述第一有源芯片电连接至所述第二有源芯片。
(6)根据(1)所述的方法,其中,所述内插芯片包括所述第一刻线图像和所述第二刻线图像。
(7)根据(1)所述的方法,包括通过所述内插芯片将所述第一有源芯片电连接至封装基板。
(8)一种半导体封装,包括:
第一和第二有源芯片;
内插芯片,包括至少部分第一刻线图像和至少部分第二刻线图像;
所述内插芯片将所述第一有源芯片电连接至所述第二有源芯片。
(9)根据(8)所述的半导体封装,其中,所述第一刻线图像和所述第二刻线图像由单刻线产生。
(10)根据(8)所述的半导体封装,其中,所述内插芯片将所述第一有源芯片电连接至封装基板。
(11)根据(8)所述的半导体封装,其中,所述内插芯片将所述第二有源芯片电连接至封装基板。
(12)根据(8)所述的半导体封装,其中,所述第一和第二有源芯片和所述内插芯片为硅芯片。
(13)根据(8)所述的半导体封装,其中,所述第一有源芯片电连接并机械连接至所述至少所述部分所述第一刻线图像和所述至少所述部分所述第二刻线图像。
(14)根据(8)所述的半导体封装,其中,所述第一有源芯片通过所述至少所述部分所述第二刻线图像电连接至所述第二有源芯片。
(15)一种半导体封装,包括:
内插芯片,包括第一刻线图像和第二刻线图像;
所述内插芯片将第一有源芯片电连接至第二有源芯片;
其中,所述第一刻线图像和所述第二刻线图像由单刻线产生。
(16)根据(15)所述的半导体封装,其中,所述内插芯片将所述第一有源芯片电连接至封装基板。
(17)根据(15)所述的半导体封装,其中,所述内插芯片将所述第二有源芯片电连接至封装基板。
(18)根据(15)所述的半导体封装,其中,所述第一和第二有源芯片以及所述内插芯片为硅芯片。
(19)根据(15)所述的半导体封装,其中,所述第一有源芯片被电连接并机械连接至所述第一刻线图像和所述第二刻线图像。
(20)根据(15)所述的半导体封装,其中,所述第一有源芯片通过所述第二刻线图像电连接至所述第二有源芯片。
附图说明
图1示出说明示例性过程的流程图。
图2A示出包括正在进行光刻的示例性半导体晶圆的方框图。
图2B示出示例性半导体晶圆的顶视图。
图2C示出示例性内插芯片的顶视图。
图2D示出示例性内插芯片横截面图。
图2E示出示例性半导体装置(arrangement)的顶视图。
图2F示出示例性半导体装置的横截面图。
图2G示出示例性半导体封装的横截面图。
具体实施方式
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