[发明专利]堆叠式双芯片封装结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210563364.1 申请日: 2012-12-21
公开(公告)号: CN103887292A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 何约瑟;薛彦迅;哈姆扎·耶尔马兹;鲁军 申请(专利权)人: 万国半导体股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/495;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 竺路玲
地址: 美国加利福尼亚州*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 堆叠 芯片 封装 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种堆叠式双芯片封装,其特征在于,包括:

一引线框,至少包括一基座及分别设置在基座左侧的第一引脚和右侧的第二引脚,以及包括第三、第四引脚,其中,第三、第四引脚两者同时设于基座的后侧或前侧,或一者设于基座后侧而另一者设于基座前侧;

一个以向第三引脚的方向偏移并倒装安装在基座上的第一芯片,其偏移至具有与第三引脚形成交叠的交叠区,其中,设置于第一芯片正面的第一电极上的多个互连结构连接至基座的正面;

一第一互联板,用于连接第一芯片的背部金属层和第一引脚的沿着与基座左侧边缘长度方向相平行的方向延伸的键合区,其包括位于第一芯片之上的一个主平板部分;

一个以向第四引脚的方向偏移并倒装安装在第一互联板的主平板部分上的第二芯片,其偏移至具有与第四引脚形成交叠的交叠区,其中,设置于第二芯片正面的第三电极上的多个互连结构连接至第一互联板的主平板部分的上表面;

一第二互联板,用于连接第二芯片的背部金属层和第二引脚的沿着与基座右侧边缘长度方向相平行的方向延伸的键合区,其包括位于第二芯片之上的一个主平板部分;

其中,第一芯片的交叠区的正面设置有通过互连结构连接到第三引脚上的一个第二电极,及第二芯片的交叠区的正面设置有通过互连结构连接到第四引脚上的一个第四电极。

2.如权利要求1所述的堆叠式双芯片封装,其特征在于,第三、第四引脚各包括一个外引脚和一个从各自的外引脚的顶部沿与基座后侧或前侧边缘长度方向相平行并朝基座左侧和右侧之间的中心线的方向延伸的内引脚,且第三、第四引脚各自的内引脚分别与第一、第二芯片各自的交叠区形成交叠;

其中,第三、第四引脚各自的内引脚的上表面均和基座的正面共面,第一芯片的所述第二电极通过互连结构连接到所述第三引脚的内引脚上,第二芯片的所述第四电极通过一个互连结构连接到所述第四引脚的内引脚上;

并且,设置于第四电极上的互连结构在竖直方向上的长度要大于设置于第三电极上的互连结构的长度。

3.如权利要求1所述的堆叠式双芯片封装,其特征在于,第三、第四引脚各包括一个外引脚和一个从各自的外引脚的顶部沿与基座后侧或前侧边缘长度方向相平行并朝基座左侧和右侧之间的中心线的方向延伸的内引脚;

所述的第三、第四引脚各自的内引脚分别与第一、第二芯片各自的交叠区形成交叠;第一芯片的所述第二电极通过互连结构连接到所述第三引脚的内引脚上,第二芯片的所述第四电极通过一个互连结构连接到所述第四引脚的内引脚上;

其中,第四引脚的外引脚和其内引脚之间形成有高度落差,以使该内引脚的上表面与第一互联板的主平板部分的上表面共面。

4.如权利要求1~3中任意一项所述的堆叠式双芯片封装,其特征在于,在第一芯片的正面覆盖有一层塑封层,该塑封层包覆在设置于第一、第二电极上的互连结构的侧壁的周围,以使互连结构从该塑封层中予以外露。

5.如权利要求1~4中任意一项所述的堆叠式双芯片封装,其特征在于,第一芯片与第四引脚无交叠,第二芯片与第三引脚无交叠。

6.如权利要求3所述的堆叠式双芯片封装,其特征在于,在第二芯片的正面覆盖有一层塑封层,并且该塑封层包覆在设置于第二芯片的第三、第四电极上的各互连结构的侧壁的周围,以使互连结构从该塑封层中予以外露。

7.如权利要求1~6中任意一项所述的堆叠式双芯片封装,其特征在于,第一互联板包括一个连接在其主平板部分上并向下倾斜延伸的固持板,该固持板的前端嵌入设置于第一引脚的键合区的上表面上的一个竖截面呈V形的长条状凹槽内;以及

第二互联板包括一个连接在其主平板部分上并向下倾斜延伸的固持板,该固持板的前端嵌入设置于第二引脚的键合区的上表面上的一个竖截面呈V形的长条状凹槽内。

8.如权利要求1~7中任意一项所述的堆叠式双芯片封装,其特征在于,还包括一塑封体,用于包覆第一、第二芯片及第一、第二互联板和各互连结构,并包覆部分的引线框,其包覆方式至少使基座的底面和第二互联板的主平板部分的上表面均从塑封体中予以外露。

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