[发明专利]反铁电单晶铌镥酸铅及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201210519904.6 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103014863B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 刘颖;龙西法;李修芝;王祖建;何超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B9/12 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反铁电单晶铌镥酸铅 及其 制备 方法 用途 | ||
1.反铁电单晶铌镥酸铅，该单晶化学式为Pb(Lu1/2Nb1/2)O3，具有超晶格结构，属于典型的钙钛矿型晶体；所述反铁电单晶的形貌为显露(001)及(111)自然生长面的立方体和八面体的聚形晶体；所述反铁电单晶的居里温度为240℃。
2.一种权利要求1所述的反铁电单晶的制备方法，包括如下生长步骤：
a)将初始原料PbO或Pb3O4、Lu2O3、Nb2O5按晶体的化学组成进行配比；
b)助熔 剂采用PbO或Pb3O4和H3BO3或B2O3复合助熔 剂；
c)将晶体原料和助熔 剂在容器中搅拌混合研磨；
d)将混合均匀的粉料装入坩埚中，并把坩埚置于晶体生长炉中化料；
e)在晶体生长过程中将原料加热至1000-1200℃之间，恒温，然后以每天1-20℃的速率降温；生长结束，以5-40℃/h降温退火，后取出晶体。
3.一种权利要求1所述的反铁电单晶的制备方法，包括如下生长步骤：
a)将初始原料PbO或Pb3O4、Lu2O3、Nb2O5按晶体的化学组成进行配比；
b)助熔 剂采用PbO或Pb3O4和H3BO3或B2O3复合助熔 剂；
c)将晶体原料和助熔 剂在容器中搅拌混合研磨；
d)将混合均匀的粉料装入坩埚中，并把坩埚置于晶体生长炉中化料；
e)在晶体生长过程中将原料加热至1000-1200℃之间，恒温；然后用高温溶液法生长的籽晶找到过饱和温度，在过饱和温度引入籽晶生长，生长过程中晶转速率为5-30rpm，降温速率为每天0.1-5℃；生长结束，以5-40℃/h降温退火，后取出晶体。
4.根据权利要求3所述的反铁电单晶的制备方法，其特征在于：所述的籽晶生长方向为(001)或(110)或(111)方向。
5.权利要求1所述的反铁电单晶用于制备反铁电存储领域的器件。
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