[发明专利]堆叠栅型SONOS闪存存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种堆叠栅型SONOS闪存存储器的结构，该存储器由一个选择管和一个存储管构成，其特征在于，

所述存储管从下至上由ONO层和第一多晶硅栅构成；

所述选择管从下至上由中压氧化层和第二多晶硅栅构成，该选择管的栅氧为中压氧化层，该选择管上方有氮化硅；

所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅的侧壁上有氮化硅侧墙；

所述存储管和所述选择管之间有一定的重叠，重叠量为X，0<X≤第一多晶硅栅的宽度。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述ONO层结构从下到上依次为：厚度为的氧化层，厚度为的氮化物层，的氧化层。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述中压氧化层的厚度为所述选择管上方的氮化硅的厚度为

4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述氮化硅侧墙的厚度为

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一多晶硅栅的厚度为宽度为0.065-0.5微米；所述第二多晶硅栅的厚度为宽度为0.065-0.5微米。

6.如权利要求1所述的堆叠栅型SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，该制造方法包括如下工艺步骤：

1）形成隔离区和有源区；

2）中低压阱以及阈值电压调整等离子注入；

3）存储管区域的离子注入和氧化层去除；

4）全片进行ONO层淀积；

5）全片进行第一层多晶硅淀积；

6）采用光刻和刻蚀工艺刻蚀第一层多晶硅和ONO层，在存储管区域形成第一多晶硅栅；

7）在全硅片上全面生长中压氧化层；

8）第二层多晶硅的淀积和掺杂；

9）第二层多晶硅化学研磨抛光；

10）在全硅片上全面淀积氮化硅层；

11）第二多晶硅栅的光刻和刻蚀；

12）第二多晶硅栅的再氧化；

13）各种器件的轻掺杂漏的注入；

14）氮化硅侧墙的淀积和刻蚀；

15）在全硅片上全面生长阻挡氧化层；

16）源漏注入；

17）阻挡氧化层的去除。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第4）步中，所述ONO层从下到上依次为：厚度为的氧化层，厚度为的氮化物层，的氧化层。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第5）步中，第一层多晶硅的厚度为

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第6）步中，先用干法刻蚀去除第一层多晶硅和ONO层最上面的氧化层和氮化层，然后用湿法刻蚀去除ONO层最下面的氧化层；所述第一多晶硅栅的厚度为宽度为0.065-0.5微米。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第7）步中，所述中压氧化层的厚度为

11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第8）步中，所述第二层多晶硅的厚度为

12.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第9）步中，所述第二层多晶硅化学研磨抛光后剩余的第二层多晶硅的厚度为

13.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第10）步中，所述氮化硅层的厚度为

14.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第11）步中，所述第二多晶硅栅的厚度为宽度为0.065-0.5微米。

15.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第12）步中，所述第二多晶硅栅的再氧化在第二层多晶硅栅的侧壁上形成的氧化层的厚度为

16.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第14）步中，所述氮化硅侧墙的厚度

17.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第15）步中，所述阻挡氧化层的厚度为

18.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在第7）步和第8）步之间增加如下步骤：

A.去除低压区域的氧化层,同时对低压氧化层区域进行离子注入；B．在全硅片上生长低压氧化层，所述低压氧化层的厚度为在第14）步之后增加如下步骤：多晶硅栅上接触孔区域的氮化硅去除。