[发明专利]用于夹持作用减小的远紫外静电吸盘的方法及结构有效
| 申请号： | 201210507320.7 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103681782A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 许家豪;陈家桢;傅中其;高慈炜;林毓超 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04;H01L21/02;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 夹持 作用 减小 紫外 静电 吸盘 方法 结构 | ||
1.一种半导体结构，包括：
半导体衬底，具有正面和背面；
集成电路部件，形成在所述半导体衬底的所述正面上；以及
多晶硅层，设置在所述半导体衬底的所述背面上。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述多晶硅层的表面粗糙度在约7埃和约20埃之间的范围内。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述多晶硅层进一步包括从由磷、硼、氮和它们的组合所组成的组中选择的少量掺杂剂。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述多晶硅层中的所述少量掺杂剂的浓度在约3×1014atom/cm3和约6×1020atom/cm3之间的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述多晶硅层包括粒度大小在约15埃和约40埃之间的范围内的多晶硅晶粒。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述集成电路部件包括掺杂阱、浅沟槽隔离部件、场效应晶体管、光电二极管或它们的组合。
7.一种方法，包括：
提供具有正面和背面的半导体衬底；
分别在所述半导体衬底的所述正面和所述背面上形成第一多晶硅层和第二多晶硅层；
从所述半导体衬底的所述正面去除所述第一多晶硅层；以及
对所述半导体衬底的所述背面上的所述第二多晶硅层进行注入。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，对所述第二多晶硅层进行注入生成表面粗糙度在约7埃和约20埃之间的范围内的所述第二多晶硅层。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，对所述第二多晶硅层进行注入包括注入从由磷、硼、氮和它们的组合所组成的组中选择的掺杂剂。
10.一种方法，包括：
提供具有正面和背面的半导体晶圆；
在所述半导体晶圆的所述背面上形成多晶硅层；
用光刻胶层涂覆所述半导体晶圆的所述正面；
将所述半导体晶圆固定在远紫外(EUV)光刻系统的静电吸盘上，使得所述多晶硅层面对所述静电吸盘；以及
通过所述远紫外(EUV)光刻系统曝光所述光刻胶层。
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