[发明专利]承载板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及电路板制作技术领域，尤其涉及一种承载板及其制作方法。

背景技术

采用倒装芯片球栅格阵列(FCBGA)进行封装芯片的电路板，通常需要制作阵列排布的多个导电凸块结构，以用于承载锡球。所述导电凸块需要贯穿防焊层并与对应的导电线路相互电连接。现有技术中，通常采用在所述导电线路上形成对应的防焊层开口，然后在防焊层上形成电镀阻挡层，并在电镀阻挡层中形成与防焊层开口对应的电镀阻挡层。由于防焊层开口和电镀阻挡层开口均需要显影形成，并且需要相互连通，在制作过程中需要对应的电镀阻挡层开口与防焊层开口进行对位。这样，需要将防焊层开口制作的相对较大，以便于显影形成电镀阻挡层开口时进行对位。这样的制作方法决定了制作的导电凸块结构的分布密度较小，不利于多个导电凸块结构密集分布。

发明内容

因此，有必要提供一种承载板的制作方法，可以得到具有密集分布的导电凸块结构的承载板。

一种承载板的制作方法，包括步骤：提供第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔，所述胶片具有中心区，所述第一离型膜与第二离型膜的形状及大小与所述中心区的形状及大小相互对应；依次压合第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔成为一个整体，所述胶片的中心区的两侧与第一离型膜和第二离型膜相互接触，得到多层基板，所述多层基板包括产品区及环绕产品区的废料区，所述产品区在第一铜箔表面的正投影位于所述中心区在第一铜箔表面的正投影之内；在第一铜箔表面形成第一光阻层及第一介电层，在第二铜箔表面形成第二光阻层及第三介电层；在第一介电层及第一光阻层内形成第一开孔，在所述第三介电层及第二光阻层内形成第二开孔；在所述第一开孔内形成第一导电凸块，在所述第二开孔内形成第二导电凸块；在第一开孔内形成第一延伸部并在第一介电层表面形成第一导电线路层，在第二开孔内形成第二延伸部并在第三介电层表面形成第三导电线路层，第一导电线路层通过第一延伸部与第一导电凸块相互电连通，第三导电线路层通过第二延伸部与第二导电凸块相互电连通；沿着产品区与废料区的交界线进行切割，并使得产品区中的第一铜箔与第一离型膜自然脱离，产品区中的第二铜箔与第二离型膜自然脱离，从而得到相互分离的第一承载基板和第二承载基板；以及从第一承载基板中去除第一铜箔及第一光阻层，得到第一承载板，从第二承载基板中去除第二铜箔及第二光阻层，得到第二承载板。

一种承载板，其包括第一介电层、多个导电凸块及第一导电线路层，所述第一介电层具有相对的第一表面和第二表面，所述导电凸块的一端凸出于所述第一表面，所述第一导电线路层形成于所述第一介电层的第二表面一侧，所述第一导电线路层包括延伸至第一介电层内的延伸部，所述导电凸块通过所述延伸部与第一导电线路层相互电连接。

与现有技术相比，本技术方案提供的承载板的制作方法，在制作用于形成导电凸块的盲孔时，采用一次激光烧蚀形成。这样，可以避免现有技术中采用两次显影分别在防焊层中形成开口而后在电镀阻挡层中形成开口，电镀阻挡层中形成开口需要与防焊层中的开口进行对位，而需要设定较大的防焊层中的开口，不利于形成密集排布的导电凸块。

附图说明

图1是本技术方案实施例提供的第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔的剖面示意图。

图2是本技术方案实施例提供的压合第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔后得到多层基板的剖面示意图。

图3是图2的第一铜箔表面上形成第一光阻层并在第二铜箔表面形成第二光阻层后的剖面示意图。

图4是图3的第一光阻层表面形成第一介电层并在第二光阻层表面形成第三介电层后的剖面示意图。

图5是图4的第一光阻层和第一介电层中形成第一开孔，第二光阻层和第三介电层中形成第二开孔后的剖面示意图。

图6是图5的第一开孔中形成第一导电凸块，第二开孔中形成第二导电凸块后的剖面示意图。

图7至图10是图6的第一介电层表面形成第一导电线路层，第三介电层的表面形成第三导电线路层后的剖面示意图。

图11是图10的第一导电线路层一侧形成第二介电层及第二导电线路层，第二导电线路层一侧形成第四介电层及第三导电线路层后的剖面示意图。

图12是图11的第二导电线路层一侧形成第一防焊层及第一防护层，第四导电线路层一侧形成第二防焊层及第二防护层后的剖面示意图。

图13和图14是切割得到的第一承载基板和第二承载基板的剖面示意图。