[发明专利]接合方法以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201210481118.1 | 申请日: | 2012-11-23 |
公开(公告)号: | CN103137506A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 武藤亚弥;新饲雅芳 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 毛立群;李浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 方法 以及 半导体 装置 制造 | ||
1.一种接合方法,对2个被接合构件进行接合,其特征在于,具备:
暂时装配工序,使固体状的接合材料介于所述2个被接合构件之间,对所述2个被接合构件进行暂时装配;以及
接合工序,在使介于暂时装配后的所述2个被接合构件之间的所述接合材料熔融之后使其固化,由此将所述2个被接合构件接合,
所述接合材料具有在一个方向上突出的突起部,
所述2个被接合构件中的至少一个被接合构件具有形成了用于供给所述接合材料的供给孔的孔部,
在所述暂时装配工序中,在所述接合材料的突起部插入到所述一个被接合构件的供给孔中的状态下,对所述2个被接合构件进行暂时装配。
2.根据权利要求1所述的接合方法,其特征在于,所述接合材料由板状的焊料构成。
3.一种接合方法,对2个被接合构件进行接合,其特征在于,具备:
固定工序,将固体状的接合材料固定于所述2个被接合构件中的一个被接合构件;
暂时装配工序,使所述接合材料介于所述2个被接合构件之间,对所述2个被接合构件进行暂时装配;以及
接合工序,在使介于暂时装配后的所述2个被接合构件之间的所述接合材料熔融之后使其固化,由此将所述2个被接合构件接合。
4.一种接合方法,对2个被接合构件进行接合,其特征在于,具备:
暂时装配工序,使固体状的接合材料介于所述2个被接合构件之间,对所述2个被接合构件进行暂时装配;以及
接合工序,在使介于暂时装配后的所述2个被接合构件之间的所述接合材料熔融之后使其固化,由此将所述2个被接合构件接合,
所述接合材料构成为包含金属板和镀敷层,所述镀敷层是在所述金属板的表面通过镀敷而形成的并且熔点比所述金属板低,
在所述暂时装配工序中,以所述镀敷层与所述2个被接合构件相接的方式配置所述接合材料,
在所述接合工序中,在使所述镀敷层熔融之后使其固化,由此将所述2个被接合构件接合。
5.一种接合方法,对2个被接合构件进行接合,其特征在于,具备:
暂时装配工序,将所述2个被接合构件空开间隔并且相向地进行暂时装配;
供给工序,在形成于所述2个被接合构件中的一个被接合构件的供给孔中插入达到另一个被接合构件的固体状的接合材料,由此供给所述接合材料;以及
接合工序,在使插入到所述供给孔中的所述接合材料熔融之后使其固化,由此将所述2个被接合构件接合。
6.根据权利要求5所述的接合方法,其特征在于,所述供给孔形成在所述一个被接合构件的至少端部。
7.一种接合方法,对2个被接合构件进行接合,其特征在于,具备:
暂时装配工序,使露出所述2个被接合构件的应当接合的位置并且覆盖其它位置的掩模介于所述2个被接合构件之间,对所述2个被接合构件进行暂时装配;以及
接合工序,在向通过所述掩模露出的所述应当接合的位置供给了熔融后的接合材料之后使其固化,由此将所述2个被接合构件接合。
8.一种接合方法,对2个被接合构件进行接合,其特征在于,具备:
暂时装配工序,将所述2个被接合构件空开间隔并且相向地进行暂时装配;以及
供给工序,从多个供给源向由所述2个被接合构件形成的空间供给熔融焊料。
9.根据权利要求1所述的接合方法,其特征在于,
在所述暂时装配工序之后并且在所述接合工序之前,具备:追加供给工序,进一步向形成于所述2个被接合构件中的一个被接合构件的供给孔供给固体状的接合材料。
10.根据权利要求9所述的接合方法,其特征在于,在所述追加供给工序中,供给球状的接合材料作为所述固体状的接合材料。
11.根据权利要求9所述的接合方法,其特征在于,在所述追加供给工序中,供给丝状的接合材料作为所述固体状的接合材料。
12.根据权利要求3所述的接合方法,其特征在于,
在所述暂时装配工序之后并且在所述接合工序之前,具备:追加供给工序,进一步向形成于所述2个被接合构件中的一个被接合构件的供给孔供给固体状的接合材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造