[发明专利]晶片封装体及其形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于晶片封装体，且特别是有关于以晶圆级封装制程所制得的晶片封装体。

背景技术

晶片封装制程是形成电子产品过程中的一重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中，使免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。

由于晶片尺寸的缩小与接垫数目的提升，在晶片封装体中形成电性连接至接垫的线路更为困难。因此，业界亟需改良的晶片封装技术。

发明内容

本发明提供一种晶片封装体，包括：一基底，具有一第一表面、相反的一第二表面及连接该第一表面及该第二表面的一侧面；一介电层，位于该基底的该第一表面上；多个导电垫，至少包括一第一导电垫及一第二导电垫，该第一导电垫及该第二导电垫位于该介电层中；多个开口，自该基底的该第二表面朝该第一表面延伸，且分别露出对应的所述导电垫，其中所述开口中的一第一开口及所述开口中的与该第一开口相邻的一第二开口，分别露出该第一导电垫及该第二导电垫，且朝向该基底的该侧面延伸而超出该第一导电垫及该第二导电垫；以及一第一线路层及一第二线路层，位于该基底的该第二表面上，且延伸进入该第一开口及该第二开口而分别电性接触该第一导电垫及该第二导电垫。

本发明提供一种晶片封装体，包括：一基底，具有一第一表面及相反的一第二表面；一介电层，位于该基底的一第一表面上；多个第一导电垫及多个第二导电垫，位于该基底与该介电层之间，且分别设置于该基底的一第一周边区及一第二周边区之上；多个第一开口及多个第二开口，自该基底的一第二表面朝该第一表面延伸，且分别露出所述第一导电垫及所述第二导电垫，其中各所述第一开口沿着与该基底的一第一侧面交叉的一第一方向延伸而分别超出对应的所述第一导电垫，且各所述第二开口沿着与该基底的一第二侧面交叉的一第二方向延伸而分别超出对应的所述第二导电垫；以及多个第一线路层及多个第二线路层，位于该基底的该第二表面上，且延伸进入所述第一开口及所述第二开口而分别对应地电性接触所述第一导电垫及所述第二导电垫。

本发明提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一基底，该基底由多个预定切割道划分成多个晶粒区域，其中一介电层形成于该基底的一第一表面上，且多个导电垫形成于该介电层之中，所述导电垫大抵沿着所述预定切割道排列；自该基底的一第二表面部分移除该基底以于该基底之中形成朝该第一表面延伸的多个开口，其中所述开口分别对应地露出所述导电垫，且分别由对应的所述导电垫朝对应的所述预定切割道延伸，并超出对应的所述导电垫；于该基底的该第二表面上形成一绝缘层，其中该绝缘层延伸进入所述开口之中而覆盖所述导电垫；部分移除该绝缘层而露出所述导电垫；于该基底的该第二表面上的该绝缘层上形成多个线路层，各所述线路层延伸进入对应的所述开口中而电性接触对应的所述导电垫；以及沿着所述预定切割道进行切割制程以形成彼此分离的多个晶片封装体。

本发明提供一种晶片封装体，包括：一基底，具有一第一表面、相反的一第二表面及延伸于该第一表面与该第二表面之间的一侧表面；多个导电垫，设置于该第一表面上；多个沟槽开口，定义于该侧表面上，自该第二表面朝该第一表面延伸，且露出该第一表面处的所述导电垫；以及一线路层，设置于该第二表面上，且延伸进入该沟槽开口以电性接触所述导电垫。

本发明提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一基底，具有一第一表面及相反的一第二表面；于该基底上定义一晶片阵列；于该第一表面上形成多个导电垫；于该晶片阵列中的相邻晶片之间形成多个开口，其中所述开口自该第二表面朝该第一表面延伸；于该第二表面上形成一线路层，该线路层延伸进入所述开口以电性接触所述导电垫；以及切割该基底以分离晶片封装体，切穿所述开口以于每一所述晶片封装体的一侧表面上定义出多个沟槽开口，其中所述沟槽开口延伸于该第一表面与该第二表面之间，且露出由该第二表面延伸至所述导电垫的该线路层。

本发明所述晶片封装体及其形成方法可有效减轻在晶片封装体中形成电性连接至导电垫的线路的制程难度。

附图说明

图1A显示本领域技术人员所知的一种晶片封装体的剖面图。

图1B显示本领域技术人员所知的一种晶片的俯视图。

图2A-图2F显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。

图3A及图3C分别显示相应于图2B图的结构的俯视图，其分别自基底的相反两表面观察。

图3B显示相应于图2F的结构的俯视图。

图4A-图4C显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程立体图。