[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201210433732.0 | 申请日: | 2012-11-02 |
公开(公告)号: | CN103035640A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 刘圣烈;宋泳锡;崔承镇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1335;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
现有技术中,为了在阵列基板(Array)上集成彩色滤光层(ColorFilter,C/F),从而在Array工序结束之后,在TFT阵列上形成C/F。其称之为COA(Color Filter On Array),对于COA类型的阵列基板,由于树脂(Resin)材料的性质,导致与最上部的ITO电极及过孔之间的接触效果不好。
由于树脂的材料,其无法忍耐高温的性质,以及与其下部ITO电极之间的接触及粘附效果不佳,而且位于Array上部的图形层(Patterning)还是会受到下部彩色滤光层的影响,并且C/F位于Array上部的话,还存在对液晶盒厚(Cell Gap)所造成厚度不一的问题,会对显示效果有不良影响。因此需要对彩色滤光层进行改善。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何设置彩色滤光层以避免彩色滤光层对Array上位于该彩色滤光层以下的层造成的不良影响。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明提供了一种阵列基板,包括:基板和位于所述基板上方的像素阵列,还包括:位于所述基板和所述像素阵列之间的彩色滤光层。
其中,所述彩色滤光层位于所述基板上对应所述像素阵列中像素区域的下方。
其中,所述彩色滤光层位于所述基板上对应所述像素阵列中像素区域的表面上。
其中,所述基板上对应所述像素阵列中像素区域的下方具有容纳所述彩色滤光层的空间,所述彩色滤光层位于所述空间中。
其中,所述彩色滤光层与所述像素阵列之间还设置有透明的缓冲层。
其中,所述像素阵列的公共电极位于所述彩色滤光层和基板之间,所述像素阵列的像素电极位于彩色滤光层上方。
其中,所述像素阵列的像素电极位于所述彩色滤光层和基板之间,所述像素阵列的公共电极位于彩色滤光层上方。
本发明还提供了一种阵列基板的制作方法,在基板上形成彩色滤光层图形,在形成所述彩色滤光层图形后的基板上形成像素阵列。
其中,在所述基板上形成彩色滤光层图形的方式包括:在所述基板的表面上对应像素阵列的像素区域形成所述彩色滤光层图形。
其中,在所述基板上形成彩色滤光层图形的方式包括:采用构图工艺对所述基板上对应像素阵列的像素区域进行刻蚀,以形成容纳所述彩色滤光层的空间,在所述空间中形成所述彩色滤光层图形。
其中,在制作所述彩色滤光层后的基板上制作像素阵列之前还包括在基板上形成一层缓冲层。
其中,在基板上制作彩色滤光层之前还包括:通过构图工艺在所述基板上对应像素阵列的像素区域形成空间;然后通过构图工艺在对应公共电极对应的区域形成公共电极图形;在所述空间中的所述公共电极上形成所述彩色滤光层图形;在形成有所述彩色滤光层的基板上形成所述像素电极,并保留公共电极图形与所述像素阵列连接的区域;在形成所述像素阵列时使得所述彩色滤光层图形位于所述公共电极图形和像素阵列中的像素电极图形之间。
其中,在基板上制作彩色滤光层之前还包括:通过构图工艺在所述基板上对应像素阵列的像素区域形成空间,然后通过构图工艺在对应像素电极的区域形成像素电极图形;在形成有像素电极的基板上对应所述空间上形成彩色滤光层图形;在形成有所述彩色滤光层图形的基板上形成公共电极的图形,并保留像素电极图形与所述像素阵列连接的区域,在形成所述像素阵列时使得所述彩色滤光层图形位于所述像素电极图形和像素阵列中的公共电极图形之间。
本发明还提供了一种显示装置,包括上述任一项所述的阵列基板。
(三)有益效果
本发明的阵列基板中将彩色滤光层设置在像素阵列的下方,避免了由于树脂(Resin)材料的性质导致的与阵列基板最上部的ITO电极及过孔之间的接触效果不好的问题及其它彩色滤光层对位于其下方的阵列基板的影响。
附图说明
图1是本发明实施例1的一种阵列基板的结构示意图;
图2是本发明实施例2的一种阵列基板的结构示意图;
图3是制作实施例2中阵列基板时刻蚀基板之前对光刻胶曝光显影后的示意图;
图4是制作实施例2中阵列基板时在基板上刻蚀出容纳彩色滤光层的空间的示意图;
图5是制作实施例2中阵列基板时在基板上的容纳彩色滤光层的空间中填充彩色滤光层后的示意图;
图6是本发明实施例3的一种阵列基板的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的