[发明专利]包括两个功率半导体芯片的装置及其制造

权利要求书

1.一种装置，包括

具有第一端面和与所述第一端面相对的第二端面的第一功率半导体芯片，所述第一功率半导体芯片带有被布置于所述第一端面上的第一接触垫，其中所述第一接触垫是外部接触垫；

被联结到所述第一功率半导体芯片的所述第二端面的第一接触夹；

被联结到所述第一接触夹的第二功率半导体芯片；和

被联结到所述第二功率半导体芯片的第二接触夹。

2.根据权利要求1所述的装置，其中能够从所述装置外侧访问所述第一功率半导体芯片的所述第一接触垫。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一功率半导体芯片具有被布置于所述第二端面上的第二接触垫。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一功率半导体芯片的所述第二接触垫被电耦接到所述第一接触夹。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一功率半导体芯片具有被布置于所述第一端面上的第三接触垫并且所述第三接触垫是进一步的外部接触垫。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二功率半导体具有第一端面和与所述第一端面相对的第二端面，所述第二功率半导体带有被布置于所述第一端面上的第一接触垫和被布置于所述第二端面上的第二接触垫。

7.根据权利要求6所述的装置，其中

所述第二功率半导体芯片的所述第一端面面对所述第一接触夹，

所述第二功率半导体芯片的所述第二端面面对所述第二接触夹，

所述第二功率半导体芯片的所述第一接触垫被电耦接到所述第一接触夹，并且

所述第二功率半导体芯片的所述第二接触垫被电耦接到所述第二接触夹。

8.根据权利要求7所述的装置，进一步包括第三接触夹。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第二功率半导体芯片具有被布置于所述第二功率半导体芯片的所述第一端面上的第三接触垫并且所述第二功率半导体芯片的所述第三接触垫被电耦接到所述第三接触夹。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述第二功率半导体芯片的第一、第二和第三接触垫分别是源电极、漏电极和栅电极。

11.根据权利要求8所述的装置，其中所述第二功率半导体芯片具有被布置于所述第二功率半导体芯片的所述第二端面上的第三接触垫并且所述第二功率半导体芯片的所述第三接触垫被电耦接到所述第三接触夹。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述第二功率半导体芯片的第一、第二和第三接触垫分别是源电极、漏电极和栅电极。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一功率半导体芯片包括功率MOSFET、IGBT、JFET、功率双极晶体管或者功率二极管。

14.根据权利要求1所述的装置，进一步包括安装表面，其中所述第一功率半导体芯片的所述第一接触垫在所述安装表面处暴露。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述第一接触夹和所述第二接触夹的接触区域在所述安装表面处暴露。

16.根据权利要求15所述的装置，进一步包括被耦接到所述第二功率半导体芯片的第三接触夹，其中所述第三接触夹的接触区域在所述安装表面处暴露。

17.根据权利要求1所述的装置，进一步包括覆盖第一和第二接触夹以及第一和第二功率半导体芯片的至少某些部分的封装材料，其中所述第二接触夹的表面被从所述封装材料暴露。