[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法和液晶显示装置有效
申请号: | 201210387968.5 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN102890380A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 严允晟;崔贤植;徐智强;李会 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;安利霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 阵列 及其 制作方法 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示装置,特别涉及液晶显示装置中TFT阵列基板上数据线的引线。
背景技术
液晶显示器中,像素对于TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)液晶显示器是有决定意义的,每个像素越小显示器可能达到的最大分辨率就会越大。
为了便于TFT阵列基板上数据线与PCB板之间的连接,在TFT阵列基板上还形成有引线,通过该引线(S/D线)将TFT阵列基板上的若干数据线与驱动IC连接,最终通过IC与PCB板相连接,因PCB板及驱动IC均为集成电路,所以需要通过引线将数据线汇集成与IC线路对应连接的模式。数据线的引线区域通过弯折排布进行汇集,该区域也叫fan-out区。
现有技术中分辨率较低的像素区域的数据线的引线,与数据线处于同一层且并排设置,并与数据线直接连接,参看图1所示。由于低分辨率,像素面积较大,像素两侧两数据线之间的距离较宽,所以各引线S/D之间的距离宽,所以制作引线时,不会使引线之间出现不良问题,尤其是弯折汇集的部分。
但在现有技术中分辨率较高的像素区域,由于像素增多,对应的数据线的数量也增多,相应地,像素面积较小,像素两侧数据线之间的距离变窄。而随着引线的数量的增多,处于同一层且并排布置的引线相互之间的距离也就变的相对较小。所以在制作这种引线时,容易使引线出现不良的问题,尤其是引线的弯折汇集部分在曝光时,因曝光精度的限制,容易导致引线之间短路,从而导致引线不良。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种TFT阵列基板及其制作方法和液晶显示装置,能够减少因引线之间的间隔较小而在制作时容易出现引线不良的问题。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供一种TFT阵列基板,采用如下技术方案:
一种TFT阵列基板,每个像素单元包括多种颜色的亚像素,同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料,且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层。
其中,每个像素单元包括依次相邻的三种颜色的亚像素;其中,第一种颜色的亚像素的数据线连有第一引线、第二种颜色的亚像素的数据线连有第二引线和第三种颜色的亚像素的数据线连有第三引线,并且所述第一引线、第二引线和第三引线分别处于不同层。
其中,所述第一引线与栅线处于同一层并通过过孔与相应的数据线相连,所述第二引线与所述数据线一起形成,所述第三引线通过过孔与相应的数据线相连。
其中,所述第三引线与透明电极处于同一层,且材料与所述透明电极的材料相同。
其中,所述第三引线上还设置有金属膜。
其中,在TFT基板的源漏电极层和保护层之间具有第一透明电极,并且在所述保护层上形成有第二透明电极;其中,
所述第三引线与所述第一透明电极处于同一层,或者
所述第三引线与所述第二透明电极处于同一层。
本发明的实施例还提供一种TFT阵列基板的制作方法,包括:
一种TFT阵列基板的制作方法,包括:
在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线;其中,所述数据线和所述栅线垂直交叉形成多种颜色的亚像素,同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料,且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层。
其中,所述数据线和所述栅线垂直交叉形成多种颜色的亚像素,同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料,且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层包括:
所述数据线和所述栅线垂直交叉形成三种颜色的亚像素,同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料,且第一种颜色的亚像素的数据线与第一引线相连、第二种颜色的亚像素的数据线与第二引线相连、第三种颜色的亚像素的数据线与第三引线相连,并且所述第一引线、第二引线和第三引线分别形成在不同层。
其中,在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线的步骤包括:
S10、在衬底基板上形成栅金属层,通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线;
S11、在经过步骤S10的基板上形成栅绝缘层和半导体层;
S12、在经过步骤S11的基板上形成源漏电极层,通过构图工艺形成源极、漏极、与所述源极相连的数据线以及与所述数据线一起成形的第二引线;其中,所述数据线和所述栅线垂直交叉形成所述亚像素区域;
S13、在经过步骤S12的基板上形成保护层,通过构图工艺在所述保护层上形成第一过孔、第二过孔和漏极过孔;
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