[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法和液晶显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，每个像素单元包括多种颜色的亚像素，其特征在于，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，每个像素单元包括依次相邻的三种颜色的亚像素；其中，第一种颜色的亚像素的数据线连有第一引线、第二种颜色的亚像素的数据线连有第二引线和第三种颜色的亚像素的数据线连有第三引线，并且所述第一引线、第二引线和第三引线分别处于不同层。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一引线与栅线处于同一层并通过过孔与相应的数据线相连，所述第二引线与所述数据线一起形成，所述第三引线通过过孔与相应的数据线相连。

4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第三引线与透明电极处于同一层，且材料与所述透明电极的材料相同。

5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第三引线上还设置有金属膜。

6.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，在TFT基板的源漏电极层和保护层之间具有第一透明电极，并且在所述保护层上形成有第二透明电极；其中，

所述第三引线与所述第一透明电极处于同一层，或者

所述第三引线与所述第二透明电极处于同一层。

7.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线；其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成多种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层。

8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成多种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层包括：

所述数据线和所述栅线垂直交叉形成三种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且第一种颜色的亚像素的数据线与第一引线相连、第二种颜色的亚像素的数据线与第二引线相连、第三种颜色的亚像素的数据线与第三引线相连，并且所述第一引线、第二引线和第三引线分别形成在不同层。

9.根据权利要求8所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线的步骤包括：

S10、在衬底基板上形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线；

S11、在经过步骤S10的基板上形成栅绝缘层和半导体层；

S12、在经过步骤S11的基板上形成源漏电极层，通过构图工艺形成源极、漏极、与所述源极相连的数据线以及与所述数据线一起成形的第二引线；其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成所述亚像素区域；

S13、在经过步骤S12的基板上形成保护层，通过构图工艺在所述保护层上形成第一过孔和第二过孔和漏极过孔；

S14、在经过步骤S13的基板上形成透明电极、第三引线和第一引线接触电极，并使所述第三引线通过所述第一过孔与相应的数据线对应相连，并且所述第一引线通过所述第二过孔上形成的所述第一引线接触电极与相应的数据线对应相连，并且所述透明电极通过所述漏极过孔与所述漏极连接，所述透明电极与漏极连接成为像素电极。

10.根据权利要求9所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第三引线与所述透明电极一起成形。