[发明专利]一种印制电路板的制作方法及其印制电路板有效
申请号: | 201210372013.2 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103716994A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 黄勇;陈正清;朱兴华;苏新虹;邝国烽 | 申请(专利权)人: | 珠海方正科技高密电子有限公司;北大方正集团有限公司;珠海方正印刷电路板发展有限公司;方正信息产业控股有限公司 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;H05K3/46;H05K1/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;邓伯英 |
地址: | 519175 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 印制 电路板 制作方法 及其 | ||
1.一种印制电路板的制作方法,其特征在于,包含:
步骤S10:制作第一中间板:所述制成的第一中间板包括单元静电保护板和带有开窗区域的承载板;所述承载板包括绝缘性基材层和第二金属层,所述第二金属层设于所述绝缘性基材层的一侧或两侧,所述开窗区域设于第二金属层上;所述单元静电保护板包括单元金属层以及附着在所述单元金属层上的单元静电保护层;将所述单元静电保护板埋设于所述开窗区域中,使得所述单元金属层与所述第二金属层在同一平面上;
步骤S20:制作第二中间板:在所述单元金属层与所述第二金属层上形成电路图形,以及在所述单元金属层上形成转换间隙,将所述单元静电保护层划分为静电保护区域和接地区域;
步骤S30:形成印制电路板:在所述第二中间板的外侧形成至少一个增层,使所述增层中待静电保护的电路与所述单元静电保护层的静电保护区域电连接,以及使所述增层中的接地层与所述单元静电保护板上的接地区域电连接。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述步骤S10中,形成所述单元静电保护板包括:
步骤S11:准备第一金属层;
步骤S12:在所述第一金属层上涂覆或印刷静电保护材料,或者在所述第一金属层上压合静电保护材料薄膜,以形成静电保护板;
步骤S13:根据待静电保护的电路对静电保护板进行切割,得到所述单元静电保护板。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述步骤S10中,制作第一中间板包括:
步骤S14:准备所述第二金属层以及所述绝缘性基材层;
步骤S15:对所述第二金属层进行开窗以形成所述开窗区域,所述开窗区域的尺寸与所述单元静电保护板的尺寸相适;
步骤S16:在所述绝缘性基材层的一侧设置所述开窗的第二金属层,并将所述单元静电保护板埋设在所述开窗区域中;
步骤S17:将所述单元静电保护板、所述开窗的第二金属层与所述绝缘性基材层相压合,其中,所述单元静电保护板的静电保护层与所述绝缘性基材层相接触。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述步骤S20中,所述单元金属层与所述第二金属层完全电连接;在所述步骤S20之前,还进一步包括:
在所述第一中间板中埋设有单元静电保护板的一侧形成电镀层,所述单元金属层和所述第二金属层与所述电镀层电连接;
所述步骤S20进一步包括,在所述电镀层与所述单元金属层的对应位置上形成所述转换间隙。
5.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,在所述步骤S20之前,还进一步包括:采用图形蚀刻法使所述单元金属层与所述第二金属层电隔离;或者,
在步骤S10中,使所述第二金属层的开窗区域的各边尺寸大于所述单元金属层的各边相应尺寸0.2-0.3mm。
6.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述电镀层采用电镀方法形成,所述电镀层的厚度大于等于5μm。
7.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述步骤S30中,在所述第二中间板的外侧形成至少一个增层具体为:
在所述第二中间板的一侧或两侧分别压合半固化片和第三金属层,然后对所述半固化片和第三金属层进行钻孔、电镀、图形转移,从而形成第一增层;或者继续按照工艺顺序,形成第二增层,直至形成所述多个增层。
8.根据权利要求2-7任一所述的制作方法,其特征在于,所述静电保护材料包括电压可切换电介质材料或可复位非线性聚合物中的至少一种。
9.一种印制电路板,其特征在于,所述印制电路板包括第二中间板和至少一个增层:
所述第二中间板包括带有开窗区域的承载板以及埋设于所述开窗区域的单元静电保护板,所述单元静电保护板包括单元金属层以及附着在所述单元金属层上的单元静电保护层,所述单元金属层上开设有转换间隙,所述转换间隙将所述单元静电保护层划分为静电保护区域以及接地区域;所述增层形成在所述第二中间板的外侧,所述增层中待静电保护的电路与所述单元静电保护板上的静电保护区域电连接,所述增层中接地层与所述单元静电保护板上的接地区域电连接。
10.根据权利要求9所述的印制电路板,其特征在于,所述单元静电保护层的厚度范围为0.5mil~1.5mil,所述转换间隙的宽度小于等于10m il。
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