[发明专利]平板封装压接式引出电极绝缘栅双极型晶体管元件在审
| 申请号： | 201210353078.2 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103681547A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 高占成 | 申请（专利权）人： | 北京新创椿树整流器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102606 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平板 封装 压接式 引出 电极 绝缘 栅双极型 晶体管 元件 | ||
1.平板封装压接式引出电极绝缘栅双极型晶体管元件，包括IGBT芯片(1)，其特征在于：还包括芯片模架(2)和陶瓷制成的壳体(3)，壳体(3)上沿垂直方向设有芯片安装孔(4)，所述芯片模架(2)上设有芯片卡装沉槽，所述IGBT芯片(1)固定在芯片模架(2)上的芯片卡装沉槽内，所述芯片模架(2)固定在所述芯片安装孔(4)内的中部，所述芯片模架(2)的上方设有作为IGBT发射极的上引出电极板(5)，上引出电极板(5)采用金属材料制成，上引出电极板(5)安装在所述芯片安装孔(4)内的上部，上引出电极板(5)的下端面与所述IGBT芯片(1)上的发射极的电路端口相贴；
所述芯片安装孔(4)内位于所述芯片模架(2)的下方设有设有门极模架(6)，门极模架(6)上设有门极线，门极线与所述IGBT芯片(1)上的门极的电路相连；
所述芯片安装孔(4)内位于所述门极模架(6)的下方设有设有作为IGBT集电极的下引出电极板(7)，下引出电极板(7)采用金属材料制成，下引出电极板(7)的上端面与所述IGBT芯片(1)上的集电极的电路端口相贴。
2.根据权利要求1所述的平板封装压接式引出电极绝缘栅双极型晶体管元件，其特征在于：所述壳体(3)沿水平方向的横截面为圆形，壳体(3)的外侧壁上沿水平方向环绕设有多个散热板(8)，散热板(8)与壳体(3)相连为一体。
3.根据权利要求2所述的平板封装压接式引出电极绝缘栅双极型晶体管元件，其特征在于：所述上引出电极板(5)的外侧壁上设有金属材料制成的上环形板(9)，上环形板(9)下端面的外侧部分牛与所述壳体(3)的上端面相贴，所述下引出电极板(7)的外侧壁上设有金属材料制成的下环形板(10)，下环形板(10)上端面的外侧部分与所述壳体(3)的下端面相贴。
4.根据权利要求3所述的平板封装压接式引出电极绝缘栅双极型晶体管元件，其特征在于：所述上环形板(9)的内侧边与所述上引出电极板(5)外侧壁的中部相连为一体，所述下环形板(10)的内侧边与所述下引出电极板(7)外侧壁的中部相连为一体。
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