[发明专利]硬盘用基板用研磨液组合物、基板的研磨方法和制造方法

说明书

本申请是申请日为2006年8月2日、发明名称为“研磨液组合物”的中国专利申请No.200610108436.8的分案申请。

技术领域

本发明涉及研磨液组合物、基板的研磨方法和基板的制造方法。

背景技术

在近年的存储硬盘驱动装置中，要求小型化和高容量化，为提高记录密度，一直在努力降低磁头的浮动高度并减小单位记录的面积。另一方面，在磁盘用基板的制造工序中，对研磨后的基板的表面质量要求也一年比一年严格，作为降低磁头浮动高度的对策，必须减小其表面粗糙度、微观波纹度以及突起。另外，为了增大每一块硬盘的记录面积，要求到基板的外周端部都是平坦的，并且在基板的研磨中，抑制端面下垂(roll off)变得更重要。

在WO98/21289A中公开了使用氧化烯烷基硫酸盐的研磨液组合物，但是端面下垂的降低称不上充分。在特开2004-179294号公报中，作为半导体研磨技术，公开了使用芳香族磺酸或其盐的研磨液组合物，但是由于和弱酸组合，所以没有充分降低端面下垂。同样地，在特开2005-167231号公报中，作为半导体研磨技术，公开了使用烷基芳香族磺酸或其盐的研磨液组合物，但是由于是弱酸或者碱性的研磨液组合物，所以无法降低端面下垂（边缘圆化（edge-rounding））。

发明内容

本发明涉及：

[1]一种研磨液组合物，该研磨液组合物含有二氧化硅、酸、表面活性剂和水，其中(a)25℃时酸在水中的溶解度大于等于1g/100g饱和水溶液，(b)表面活性剂为以下述通式(1)所示的磺酸或其盐，且(c)研磨液组合物的pH值为0～4，

R-(O)_n-X-SO₃H    (1)

[式中，R表示一部分或全部氢原子可用氟原子取代的碳原子数为3～20的烃基，X表示从芳香烃的芳香环去掉2个氢原子后的残基，n表示0或1。]；

[2]一种研磨液组合物，该研磨液组合物含有二氧化硅、酸、表面活性剂和水，其中(a’)25℃时酸在水中的溶解度大于等于1g/100g饱和水溶液，(b’)表面活性剂为以下述通式(2)所示的磺酸或其盐，且(c’)研磨液组合物的pH值为0～3，

R’-O-(AO)_n-SO₃H        (2)

[式中，R’表示碳原子数为3～20的烃基，AO表示碳原子数为2～4的氧化烯基，n表示AO的平均加成摩尔数且为1～6。]；

[3]一种基板的研磨方法，该方法具有研磨工序，在该研磨工序中，对每1cm²的被研磨基板以大于等于0.05mL/分钟的速度供给[1]或者[2］记载的研磨液组合物，并在5～50kPa的研磨压力下进行研磨；

[4]一种基板的制造方法，该方法具有研磨工序，在该研磨工序中，对每1cm²的被研磨基板以大于等于0.05mL/分钟的供给速度供给[1]或者[2]记载的研磨液组合物，并在5～50kPa的研磨压力下进行研磨；

[5]一种降低基板的端面下垂的方法，该方法具有使用[1]或者[2]记载的研磨液组合物来研磨基板的工序。

附图说明

图1是表示测定端面下垂时的测定位置的基板的剖视图。

图1中的符号如下所述。

A是从圆盘中心向外周方向离开43.0mm的距离的点，B是从圆盘中心向外周方向离开44.0mm的距离的点，C是从圆盘中心向外周方向离开46.6mm的距离的点，C’是与通过A、B和C点的直线垂直于C点的直线、与圆盘表面的交点，X是端面下垂。

具体实施方式

本发明涉及一种对于基板外周端部的端面下垂的降低，特别是对于硬盘高容量化所必须的端面下垂的降低而有效的研磨液组合物；使用该研磨液组合物降低端面下垂的基板的研磨方法以及基板的制造方法。

例如，通过在硬盘用基板的制造工序中的研磨工序使用本发明的研磨液组合物，可以起到如下效果：由于可以显著降低基板外周端部的边缘圆化即端面下垂，所以可以制造适合高容量硬盘的基板。

本发明的上述优点和其它优点通过下述说明可以表明。

本发明的研磨液组合物的一个特征在于：包括含有二氧化硅的研磨材料、由特定结构的磺酸或其盐形成的表面活性剂、对水具有特定的溶解度的酸，并具有特定的pH值。