[发明专利]一种半导体器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括有源区和隔离区，在所述衬底上形成有位于所述有源区上方的第一栅极结构和位于所述隔离区上方的作为虚设栅极结构的第二栅极结构，其中，在所述第一栅极结构两侧以及所述第二栅极结构两侧形成有间隙壁结构；

至少部分地蚀刻去除位于所述第二栅极结构两侧的所述间隙壁结构；

在所述衬底、所述第一和第二栅极结构上方形成内部互连材料层；

至少蚀刻去除位于所述第一栅极结构上的全部所述内部互连材料层，以形成与所述第一栅极结构电性隔离而与所述第二栅极结构电性连接的内部互连层；以及

在所述内部互连层上形成源/漏区接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述源/漏区接触孔的步骤包括：

在所述衬底上方形成层间介电层；以及

在所述层间介电层中形成与所述内部互连层对应的源/漏区接触孔，所述源/漏区接触孔经由所述内部互连层而连接至位于所述有源区中的源/漏区。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，当在所述层间介电层中形成所述源/漏区接触孔时，在所述层间介电层中形成与所述第一栅极结构对应的栅极接触孔。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二栅极结构均包括栅极介电层和位于所述栅极介电层上的栅极材料层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述内部互连材料层的构成材料与所述栅极材料层的构成材料相同。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，所述栅极材料层的构成材料为多晶硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，至少部分地蚀刻去除位于所述第二栅极结构两侧的所述间隙壁结构的步骤是使用掩模版通过选择性蚀刻工艺来执行的。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二栅极结构与所述第一栅极结构是采用相同的工艺步骤同时形成的。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻去除位于所述第一栅极结构上的所述内部互连材料层的步骤包括：

在所述内部互连材料层上形成内部互连层掩蔽层；

依次蚀刻所述内部互连层掩蔽层和所述内部互连材料层，以形成所述内部互连层；以及

去除所述内部互连层掩蔽层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，去除所述内部互连层掩蔽层采用湿法蚀刻工艺。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述隔离区采用浅槽隔离工艺形成。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底上方形成所述内部互连材料层之前还包括预清洗步骤。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻去除位于所述第一栅极结构上的所述内部互连材料层的同时，蚀刻去除位于所述第二栅极结构上的一部分所述内部互连层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，位于所述第二栅极结构的靠近所述第一栅极结构的一侧的所述间隙壁结构被蚀刻去除。

15.一种半导体器件结构，包括：

衬底，所述衬底包括有源区和隔离区；

第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述有源区上方；

第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述隔离区上方，且为虚设栅极结构；和

内部互连层，所述内部互连层将位于所述有源区中的源/漏区与所述第二栅极结彼此电性相连，而与所述第一栅极结构电性隔离。

16.根据权利要求15所述的半导体器件结构，还包括：

间隙壁结构，所述间隙壁结构位于所述第一栅极结构的两侧，并且

其中，所述内部互连层通过所述间隙壁结构而与所述第一栅极结构电性隔离。

17.根据权利要求16所述的半导体器件结构，其中，所述间隙壁结构还形成在所述第二栅极结构的远离所述第一栅极结构的一侧。

18.根据权利要求15所述的半导体器件结构，还包括：

层间介电层，所述层间介电层形成在所述衬底、所述第一和第二栅极结构上方，且所述层间介电层中形成有与所述源/漏区对应的源/漏区接触孔，所述源/漏区接触孔经由所述内部互连层而与所述源/漏区电性连接。

19.根据权利要求15所述的半导体器件结构，其中，在所述层间介电层中还形成有与所述第一栅极结构对应的栅极接触孔。