[发明专利]半导体芯片封装和方法有效

专利信息
申请号: 201210317192.X 申请日: 2012-08-30
公开(公告)号: CN102969446A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 乌多·奥塞尔勒基纳;斯特凡·兰道;福尔克尔·斯特鲁特兹 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L43/04 分类号: H01L43/04;H01L43/14;G01R33/07
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片 封装 方法
【说明书】:

技术领域

发明大体涉及一种半导体芯片封装件和用于制造半导体芯片封装件的方法,并且在特定实施方式中,涉及霍尔传感器(Hall sensor)封装件和用于制造霍尔传感器封装件的方法。

背景技术

霍尔传感器是一种响应于所测量的磁场而改变其输出电压的传感器。在其最简单的形式中,霍尔传感器用作模拟换能器,以直接针对所测磁场返回电压。

导体所携带的电将产生随着电流而改变的磁场,并且,霍尔传感器不中断电路地测量电流。

霍尔传感器通常被用在诸如气压缸的工业应用中,或用在诸如计算机打印机或键盘的用电设备中。

霍尔传感器还通常用来设定轮和轴的速度,诸如,用于针对内燃机点火定时,转速计和防锁制动系统。它们在无刷DC电机中用来检测永磁铁的位置。

发明内容

根据本发明的实施方式,一种半导体装置的封装件包括:基板和设置在基板上并由封装材料横向地包围的半导体芯片。该封装件还包括与半导体芯片相邻的电流轨道、利用隔离层将电流轨道与半导体芯片隔离、第一外部焊垫,以及将电流轨道与第一外部焊垫接触的通路接点。

根据本发明的另一实施方式,一种用于制造封装件的方法包括:将半导体芯片放置在基板上,与半导体芯片相邻地形成第一层压层,并在半导体芯片之上形成电流轨道。该方法还包括:在电流轨道之上形成第二层压层,在第二层压层中形成通路,填充通路从而形成通路接点,并在通路接点之上形成外部焊垫。

根据本发明的另一实施方式,一种多芯片封装件包括:基板、设置在基板上的霍尔传感器,以及设置在基板上的至少一个另外的半导体芯片。该多芯片封装件还包括:包围霍尔传感器和该至少一个另外的半导体芯片的封装件材料、邻近霍尔传感器的电流轨道(其中,通过隔离层将电流轨道与霍尔传感器隔离)、外部焊垫,以及将电流轨道与外部焊垫接触的通路接点。

根据本发明的另一实施方式,一种使用霍尔传感器的方法包括:在霍尔传感器封装件的第一电流I/O焊垫处从印刷电路板接收电流;使电流通过第一接触通路阵列流至第一电流轨道;与霍尔传感器相邻地设置第一电流轨道;并利用霍尔传感器测量电流。该方法还包括:使电流流至第二电流轨道、第二接触通路阵列和第二电流I/O焊垫并将该电流送回至印刷电路板。

根据本发明的一个实施方式,一种用于半导体装置的封装件包括:基板和设置在基板上并由包括层压材料的层压材料层横向地包围的半导体芯片。该封装件还包括:邻近半导体芯片的电流轨道,利用隔离层将电流轨道与半导体芯片隔离;第一外部焊垫;以及将电流轨道与第一外部焊垫接触的接点。

附图说明

为了更全面地理解本发明及其优点,现在结合附图参考以下描述,其中:

图1示出了使用基于引线框的封装件的传统的霍尔传感器;

图2a示出了半导体芯片封装件的实施方式的截面图;

图2b示出了半导体芯片封装件的细节的实施方式;

图2c示出了半导体芯片封装件的细节的实施方式;

图2d示出了金属化系统(metallization system)的实施方式;

图3示出了制造半导体芯片封装件的方法的流程图;

图4示出了使用半导体芯片封装件的方法的流程图。

具体实施方式

下面详细地讨论目前的优选实施方式的制造和使用。然而,应理解,本发明提供了许多可应用的发明概念,其可体现在许多特定上下文中。所讨论的特定实施方式仅说明制造和使用本发明的特定方式,并不限制本发明的范围。

将在特定上下文中关于优选实施方式描述本发明,即,霍尔传感器封装件。然而,本发明也可应用于其他半导体芯片封装件。

图1示出了传统的霍尔传感器封装件100,其中,电流轨道105为引线框108的一部分。霍尔传感器利用隔离层与电流轨道105/引线框108隔离。这种配置的一个缺点是,到电流轨道108的电流轨迹109相对较长,因此,这些电流轨迹109的电阻相对较高。此外,霍尔传感器和电流轨道之间的隔离层相对较厚,这会减小磁场强度并可能明显地导致传感器漂移。

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