[发明专利]半导体芯片封装和方法有效

专利信息
申请号: 201210317192.X 申请日: 2012-08-30
公开(公告)号: CN102969446A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 乌多·奥塞尔勒基纳;斯特凡·兰道;福尔克尔·斯特鲁特兹 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L43/04 分类号: H01L43/04;H01L43/14;G01R33/07
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的封装件,包括:

基板;

半导体芯片,设置在所述基板上并由封装材料横向地包围;

邻近所述半导体芯片的电流轨道,所述电流轨道通过隔离层与所述半导体芯片隔离;

第一外部焊垫;以及

通路接点,使所述电流轨道与所述第一外部焊垫接触。

2.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述通路接点包括多个垂直通路接点。

3.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述半导体芯片包括被配置在所述半导体芯片的第一侧上的霍尔元件。

4.根据权利要求3所述的封装件,其中,所述半导体芯片包括与所述基板接触的第二侧,并且其中,所述第二侧与所述第一侧相对。

5.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述电流轨道、所述第一外部焊垫和所述接点包括Cu。

6.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述封装材料包括环氧树脂材料。

7.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述封装材料层包括多个层压材料层。

8.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述电流轨道和所述半导体芯片之间的所述隔离层包括二氧化硅、氮化硅、层压材料或其组合。

9.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述隔离层约3μm至约20μm厚。

10.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述电流轨道包括狭部。

11.根据权利要求1所述的封装件,还包括电耦接至所述半导体芯片的第二外部焊垫。

12.一种系统,包括:

印刷电路板(PCB);

根据权利要求1所述的封装半导体装置;以及

焊料接触,使第一外部焊垫和第二外部焊垫与所述PCB接触。

13.一种用于制造封装件的方法,所述方法包括:

将半导体芯片放置在基板上;

邻近所述半导体芯片形成第一封装材料层;

在所述半导体芯片之上形成电流轨道;

在所述电流轨道之上形成第二封装材料层;

在所述封装材料层中形成通路;

填充所述通路以形成通路接点;以及

在所述通路接点之上形成外部焊垫。

14.根据权利要求13所述的方法,还包括,在所述半导体芯片的顶面和所述电流轨道之间形成隔离层。

15.根据权利要求13所述的方法,其中,填充所述通路包括用金属以电流方式填充所述通路。

16.根据权利要求13所述的方法,其中,所述第一封装材料层和/或所述第二封装材料层包括层压层。

17.一种多芯片封装件,包括:

基板;

霍尔传感器,设置在所述基板上;

至少一个另外的半导体芯片,设置在所述基板上;

封装材料层,横向地包围所述霍尔传感器和所述至少一个另外的半导体芯片;

邻近所述霍尔传感器的电流轨道,所述电流轨道通过隔离层与所述霍尔传感器隔离;

外部焊垫;以及

通路接点,使所述电流轨道与所述外部焊垫接触。

18.根据权利要求17所述的多芯片封装件,其中,所述通路接点被垂直地设置在所述电流轨道之上,并且其中,第一外部焊垫被设置在所述通路接点之上。

19.根据权利要求17所述的多芯片封装件,其中,所述电流轨道和所述霍尔传感器之间的所述隔离层包括二氧化硅、氮化硅、层压材料、复合材料或其组合。

20.一种使用霍尔传感器的方法,包括:

在霍尔传感器封装件的第一电流I/O焊垫处从印刷电路板接收电流;

使所述电流穿过第一接触通路阵列流至第一电流轨道部,所述第一电流轨道部被设置为邻近所述霍尔传感器;

利用所述霍尔传感器测量所述电流;

使所述电流流过第二电流轨道部、第二接触通路阵列和第二电流I/O焊垫;以及

将所述电流送回至所述印刷电路板。

21.根据权利要求20所述的方法,还包括,响应于由所述霍尔传感器测量的所述电流而在传感器I/O焊垫处提供信号。

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