[发明专利]一种封装基板及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年5月31日递交的韩国专利申请号为10-2012-0058497、题为“一种封装基板及其制造方法（Package Substrate and Method of Manufacturing the Same）”的申请的优先权，该专利申请的全部内容通过引入合并到本申请中。

技术领域

本发明涉及一种封装基板及其制造方法。

背景技术

伴随着半导体技术的快速发展，半导体设备已明显成长。另外，配置成通过预先将电子设备如半导体设备固定在印刷电路基板上的封装的半导体封装如系统化封装（SIP）、芯片尺寸级封装（CSP）、覆晶封装（flip chip package）（FCP）等的发展已积极展开。这种半导体封装要求能够很好地散去半导体设备产生的热量和在高压下的绝缘能力。为了解决散热问题，已致力于利用各种具有优良导热性能的金属制造各种各样的封装基板。近来，利用阳极氧化使半导体装置散热最大化的封装基板的研究已经开展。根据在封装基板领域的现有技术，阳极氧化膜形成于具有通孔的铝基板表面。在这种情况下，阳极氧化膜也在通孔的内壁上形成（美国专利号：7947906）。阳极氧化膜形成后，通孔（through-hole）被镀液（plating）等填满，从而形成贯穿过孔（through-via）和其他的电路图案。

发明内容

本发明致力于提供一种封装基板以及该封装基板的制造方法，该封装基板能够防止在通孔上进行电镀时在绝缘层内产生裂缝。

另外，本发明致力于提供一种封装基板以及该封装基板的制造方法，该封装基板能够防止在形成通孔时在绝缘层内产生裂缝。

另外，本发明致力于提供一种封装基板以及该封装基板的制造方法，该封装基板能够防止由于贯穿通孔形成后的抛光过程破坏绝缘层。

根据本发明的优选实施方式，提供了一种封装基板，该封装基板包括：基底基板；形成于基底基板的上部和下部的绝缘层；形成于绝缘层的上部的第一金属层；贯穿基底基板、绝缘层和第一金属层并由绝缘材料形成的第一贯穿过孔；形成于第一贯穿过孔的上部和下部及内壁的种子层；形成于种子层和第一金属层的上部的第二金属层；以及形成于在第一贯穿过孔的内壁形成的种子层和第二金属层内的第二贯穿过孔。

所述基底基板可由铝制成。

所述绝缘层可为阳极氧化膜。

所述绝缘材料可为绝缘塞孔油墨（insulating plugging ink）。

所述种子层可通过湿法或干法形成。

所述第二贯穿过孔可由镀液（plating solution）、绝缘塞孔油墨和导电浆料中的至少一种来形成。

根据本发明的另一优选实施方式，提供了一种封装基板的制造方法，该制造方法包括：制备基底基板；在基底基板的上部和下部形成绝缘层；在绝缘层的上部形成第一金属层；形成贯穿基底基板、绝缘层和第一金属层的第一通孔；用绝缘材料填充通孔内部，以形成第一贯穿过孔；形成贯穿第一贯穿过孔的内部的第二通孔；在第二通孔的上部和下部及内壁形成种子层；在种子层和第一金属层的上部形成第二金属层；以及用导电材料填满第二通孔的内部，以形成第二贯穿过孔。

基底基板可由铝金属制成。

在绝缘层的形成中，基底基板可被阳极氧化。

在第一贯穿过孔的形成中，绝缘材料可为绝缘塞孔油墨。

在种子层的形成中，种子层可通过湿法或干法形成。

第二贯穿过孔可由镀液、绝缘塞孔油墨和导电浆料中的至少一种来形成。

附图说明

以下结合附图的具体描述将使本发明的上述和其他目的、特征和优势能够更清楚地被理解：

图1是显示根据本发明的优选实施方式的封装基板的示意图；和

图2-10是显示根据本发明的优选实施方式的封装基板的制造方法的示意图。

具体实施方式

以下结合附图的对优选实施方式的具体描述将使本发明的目的、特征和优势能够更清楚地被理解。在整个附图中，相同的参考数字用于表示相同或相似的组件，关于他们的多余描述被省略。此外，在以下描述中，术语“第一”，“第二”，“一侧”，“另一侧”等用于区分一确定组件和另一组件，但是，这些组件结构不应该解释为受这些术语的限制。此外，在本发明的描述中，当确定与本发明相关的已知技术的详细描述会使本发明的要点不清楚时，将省略这些描述。

下文中，将结合附图详细描述本发明的优选的实施方式。

图1是说明根据本发明的优选实施方式的封装基板的示意图。