[发明专利]用于FINFET器件的位错SMT

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

接收FinFET前体，所述FinFET前体包括：

衬底；

鳍状件结构，形成在所述衬底上；

隔离区，形成在所述衬底上并且隔离所述鳍状件结构；以及

栅极堆叠件，形成在所述鳍状件结构的一部分之上，从而将所述鳍状件结构的源极区与所述鳍状件结构的漏极区相分离，并且在所述源极区和所述漏极区之间形成所述鳍状件结构的栅极区；

在所述鳍状件结构、所述隔离区、和所述栅极堆叠件中的每个的至少一部分之上形成应力记忆技术(SMT)保护层；

通过注入能量掺杂物质，对所述FinFET前体执行预非晶化注入；

对所述FinFET前体执行退火工艺；以及

去除所述SMT保护层。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：

去除所述鳍状件结构的一部分；以及

此后，在所述鳍状件结构的顶部上形成次级源极/漏极区。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，将去除所述鳍状件结构的一部分执行至特定深度，并且其中，选择所述特定深度以控制所述次级源极/漏极区中的应力效应的存在。

4.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：在去除所述SMT保护层之后，对所述FinFET前体执行制造工艺。

5.一种半导体器件，包括：

衬底，具有表面；

鳍状件结构，形成在所述衬底的所述表面之上，所述鳍状件结构具有与所述衬底的所述表面平行的伸长主体、纵轴、以及横轴，其中，所述鳍状件结构具有位错；

隔离区，形成在所述衬底的所述表面上并且隔离所述鳍状件结构；以及

栅极堆叠件，形成在所述鳍状件结构的一部分之上，从而将所述鳍状件结构的源极区和所述鳍状件结构的漏极区相分离，并且在所述源极区和所述漏极区之间形成所述鳍状件结构的栅极区。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述位错是第一位错；

所述半导体器件进一步包括形成在所述鳍状件结构内的第二位错；并且

所述第一位错和所述第二位错不共面。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述位错平行于所述衬底的所述表面。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述位错与相应的所述鳍状件结构平行的所述纵轴并且在所述衬底的方向上延伸。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述位错与相应的所述鳍状件结构平行的所述横轴并且在所述衬底的方向上延伸。

10.一种半导体器件，包括：

衬底，具有表面；

凸起器件主体，形成在所述衬底的所述表面之上，所述凸起器件主体包括漏极区、源极区、和位于所述漏极区和所述源极区之间的栅极区，其中，所述凸起器件主体具有与所述衬底的所述表面平行的纵轴和横轴；

位错，形成在所述凸起器件主体内；

隔离区，形成在所述衬底的所述表面上并且隔离所述凸起器件主体；以及

栅极堆叠件，形成在所述凸起器件主体的所述栅极区的一部分之上。