[发明专利]一种具有单一反射结构的印刷电路板及利用其的发光二极管封装制造方法无效
申请号: | 201210266568.9 | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN102905468A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 张种镇 | 申请(专利权)人: | 斗星A-Tech;张种镇 |
主分类号: | H05K1/18 | 分类号: | H05K1/18;H05K1/02;H05K3/30;H01L25/075;H01L33/48;H01L33/60 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健 |
地址: | 韩国京畿道水原市灵通*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 单一 反射 结构 印刷 电路板 利用 发光二极管 封装 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光二极管封装,具体涉及具有单一反射结构的印刷电路板及利用其的发光二极管封装制造方法,其中,在一个封装内使用一个以上芯片来构成LED封装的情况下,在芯片之间构成单一反射构造物,从而能够防止芯片之间的光的再吸收。
背景技术
发光二极管利用半导体的p-n接合结构来制造出注入的少数载体(电子或空穴),并且其作为通过所述少数载体的再结合进行发光的电子部件。
如上所述的发光二极管使用在各种领域,最近由于发光二极管的寿命为半永久性且不存在有害物质环境管制(RoHS、ELV、PFOS等)物质,因此被瞩目为将代替荧光灯的部件。
通常地,单一的发光二极管单元在引线框架上用例如Ag接合发光二极管芯片,并且在将半导体芯片的N片和P片进行引线接合之后,通过环氧树脂的模压进行封装。
如上所述构成的单一的发光二极管封装为了散热而以如下方式使用,即在散热板上装载的状态下设置于印刷电路基板上而使用,或者在利用例如表面安装技术(SMT)等来安装在印刷电路板上的状态下粘贴在散热板上而使用。
另外,例如,使用于LCD背光灯等的发光二极管阵列单元中,将如上所述构成的多个单一发光二极管封装按照阵列形状利用例如表面安装技术(SMT)等来设置在印刷电路板上。
并且,如上所述构成的发光二极管的阵列为了散热而粘贴在散热板上而使用。
如上所示,现有技术中,为了制造发光二极管单元,将与引线框架的制造、散热板的制造、发光二极管的制造、印刷电路板的制造、发光二极管封装的安装等具有各自不同特性的制造工艺进行集合。
换句话说,一个制造企业很难单独制造出发光二极管单元,应该通过各自不同企业的协作才可以制造。因此,存在如下问题:发光二极管单元的制造工艺复杂,并且增加发光二极管单元的制造费用。
另外,现有技术中,将发光二极管芯片安装在引线框架后进行封装,并且由于将所述发光二极管封装安装在印刷电路板上,因此,具有如下问题:在整体上发光二极管单元的厚度会更加厚,从而采用如上所述的发光二极管单元的电子产品的薄型化会受到障碍。
特别是,现有技术中,为了发光二极管的散热,通过将发光二极管芯片安装在引线框架进行封装之后,以散热板作为媒介将所述发光二极管封装设置在印刷电路板上,或者将发光二极管封装安装在印刷电路板后,将印刷电路板结合在散热板上。
由此,发光二极管单元的整体厚度会更加厚,从而存在采用如上所述的发光二极管单元的电子产品的薄型化会受到障碍的问题。
如上所述的现有技术的发光二极管单元有限于提高发光的光的波长变换效率,从而很难提高光功率或者亮度、显色性。
为了解决如上所述的问题,从而提出了如下结构:在散热基底的发光二极管芯片安装区域形成具有反射面的反射槽,并且装载发光二极管。
但是,在如上所述的发光二极管封装的情况下,如果在反射槽内安装有一个以上的发光二极管芯片时,则发生如下问题:由于邻接的发光二极管芯片之间的光的再吸收,从而降低光功率。
图1是表示如下问题:由于板上芯片(COB,Chip On Board)和热沉芯片(COH,Chip On Heat-sink)方式的发光二极管封装中的芯片之间的光的再吸收而降低光功率,图2是表示如下问题:由于金属芯片(COM,Chip On Metal)方式的发光二极管封装的芯片之间的光的再吸收而降低光功率。
图1是表示板上芯片(Chip On Board)和热沉芯片(Chip On Heat-sink)方式的发光二极管封装结构,其中,印刷电路板是通常作为FR4或者金属印刷电路板10而使用的FR4印刷电路板(使用板上芯片方式的印刷电路板)及金属印刷电路板(使用热沉芯片方式的印刷电路板),并且使用由50~100?的绝缘层(Adhesive Layer)11和1/2盎司(大约17?)或者1盎司(大约34?)的Cu层构成的产品。
另外,Ni、Ag层作为镀金层,其用于通过板上芯片及热沉芯片方法进行发光二极管封装,为了进行引线接合(wire bonding),从而形成Ag层,但是在Cu层上不能直接镀Ag,因此通过镀金等方法形成Ni层,其作为用于镀Ag的缓冲层。
通过如上所述工艺形成配线图形形成用的物质层12、13、14,并且形成一定高度的坝(DAM)16,所述坝16用于防止在涂覆荧光体或者硅酮时产生的扩散等现象,并且装载有发光二极管芯片15a、15b。
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