[发明专利]一种OLED金属氧化物及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种OLED液晶显示技术，尤其涉及一种OLED金属氧化物及其制造方法。

背景技术

有机电激发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。

由于不需要背光的特性，使得OLED非常适合作为透明显示器之用，但主动式AM-OLED的背板(Back-plane)架构较传统TFT复杂，图1所示现有AM-OLED液晶显示面板的结构示意图，AM-OLED60需要至少两个TFT40、50进行驱动，除了数据线(Data Line)10与扫描线(Scanning Line)30外，还需要提供电流的电源供应线(Source Line)20，TFT与各信号线多以不透光的金属构成，在配置OLED发光架构时就会影响发光区域连同透光区域也受到限制。

OLED为有机发光层上下之共通电极与透明电极提供电流通过有机层产生光线，共通电极一般亦使用不透光的金属制作，配置在信号线外的区域，亦即发光区域多在非信号线与TFT区域，此种配置以提高发光面积为主，但透明性则受到不透光的区域与发光区域影响。

发明内容

本发明揭示一种保证发光区域面积的同时，又有效提升透明区域，充分表现OLED的特色与优点的OLED金属氧化物及其制造方法。

本发明提供一种OLED金属氧化物，包括：扫描线；第二TFT金属连接线；数据线，与扫描线垂直交叉；电流供应线，与数据线平行间隔；绝缘层；第一TFT，包括：与扫描线连接的第一栅极、与数据线连接的第一源极、以及位于绝缘层上的第一TFT半导体层；第二TFT，包括：与第二TFT金属连接线连接的第二栅极、与电流供应线连接的第二源极、位于绝缘层上的第二TFT半导体层；共通电极，覆盖所述扫描线、第二TFT金属连接线、数据线、电流供应线、第二TFT、以及第二TFT，且第二漏极部分露出共通电极；有机发光层，位于共通电极上；透明电极，位于有机发光层上，且透明电极与第二漏极连接。

本发明又提供一种OLED金属氧化物一种OLED金属氧化物的制造方法，包括如下步骤：

A）形成扫描线、信号线、电流供应线、绝缘层、第一TFT、以及第二TFT，第一TFT包括第一栅极、第一源极、以及第一TFT半导体层，第二TFT包括第二栅极、第二源极以及第二TFT半导体层；

B）形成上述图案的基础上形成，覆盖一层共通电极，该共通电极覆盖整个扫描线、信号线、电流供应线、第一TFT、以及第二TFT，并只露出部分的第二漏极；

C）在形成上述图案的基础上，形成与共通电极接触的第一孔、以及与第二漏极接触的第二孔，接着在第一孔内形成有机发光层；

D）在形成上述图案的基础上，形成作为覆盖有机发光层的透明电极，该透明电极延伸至第二孔的内部并延伸至第二漏极。

本发明通过在背板上的共通电极作为主要发光区域，并使共通电极覆盖扫描线、信号线、电流供应线、第一TFT和第二TFT，再将顶侧的透明电极经由孔连接至第二漏极，在共通电极与透明电极间形成OLED发光层，如此在框状的共通金属外形成透明区域，可以有效提高OLED显示器的透明度。

附图说明

图1是现有液晶显示面板的结构示意图；

图2是本发明OLED金属氧化物的结构示意图；

图2A是图2在B-B’方向的剖视图；

图3是本发明OLED金属氧化物的另一角度的结构示意图；

图3A是图3在A-A’方向的剖视图；

图4是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；

图4A是图4在B-B’方向的剖视图；

图4是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；

图4A是图4在B-B’方向的剖视图；

图5是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；

图5A是图5在B-B’方向的剖视图；

图6是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；

图6A是图6在B-B’方向的剖视图；

图7是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；

图7A是图7在B-B’方向的剖视图；

图8是本发明OLED金属氧化物制造方法的步骤之一的结构示意图；

图8A是图8在B-B’方向的剖视图；