[发明专利]一种OLED金属氧化物及其制造方法

权利要求书

1.一种OLED金属氧化物，其特征在于，包括：

扫描线；

第二TFT金属连接线；

数据线，与扫描线垂直交叉；

电流供应线，与数据线平行间隔；

绝缘层；

第一TFT，包括：与扫描线连接的第一栅极、与数据线连接的第一源极、以及位于绝缘层上的第一TFT半导体层；

第二TFT，包括：与第二TFT金属连接线连接的第二栅极、与电流供应线连接的第二源极、位于绝缘层上的第二TFT半导体层；

共通电极，覆盖所述扫描线、第二TFT金属连接线、数据线、电流供应线、第二TFT、以及第二TFT，且第二漏极部分露出共通电极；

有机发光层，位于共通电极上；

透明电极，位于有机发光层上，且透明电极与第二漏极连接。

2.如权利要求1所述的OLED金属氧化物，其特征在于：所述绝缘层上设有第一保护层，所述共通电极位于第一保护层上。

3.如权利要求2所述的OLED金属氧化物，其特征在于：所述共通电极上设有第二保护层，所述第二保护层上开设有与共通电极连接的第一孔，所述有机发光层位于第一孔内。

4.如权利要求3所述的OLED金属氧化物，其特征在于：还包括贯穿第二保护层、第一保护层和绝缘层并与第二漏极连接的第二孔，所述透明电极穿过该第二孔与第二漏极连接。

5.如权利要求2所述的OLED金属氧化物，其特征在于：所述有机发光层覆盖在共通电极上。

6.如权利要求5所述的OLED金属氧化物，其特征在于：还包括贯穿第一保护层和绝缘层并与第二漏极连接的第二孔，所述透明电极穿过该第二孔与第二漏极连接。

7.如权利要求1所述的OLED金属氧化物，其特征在于：所述扫描线和第二TFT金属连接线同层金属形成的，所述数据线和电流供应线同层金属形成的。

8.一种OLED金属氧化物的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

A）形成扫描线（10）、信号线（50）、电流供应线（60）、绝缘层（30）、第一TFT、以及第二TFT，第一TFT包括第一栅极（11）、第一源极（51）、以及第一TFT半导体层（41），第二TFT包括第二栅极（21）、第二源极（61以及第二TFT半导体层（42）；

B）形成上述图案的基础上形成，覆盖一层共通电极(80)，该共通电极（80）覆盖整个扫描线（10）、信号线（50）、电流供应线（60）、第一TFT、以及第二TFT，并只露出部分的第二漏极（62）；

C）在形成上述图案的基础上，形成与共通电极（80）接触的第一孔、以及与第二漏极（62）接触的第二孔（91），接着在第一孔内形成有机发光层（100）；

D）在形成上述图案的基础上，形成作为覆盖有机发光层（100）的透明电极（110），该透明电极（110）延伸至第二孔（91）的内部并延伸至第二漏极（62）。

9.根据权利要求8所述的OLED金属氧化物的制造方法，其特征在于，所述步骤C），在形成有机发光层（100）之前，先形成覆盖共通电极（80）的第二保护层（90），然后在第二保护层（90）上形成与共通电极（80）接触的第一孔、以及与第二漏极62接触的第二孔91。

10.根据权利要求8所述的OLED金属氧化物的制造方法，其特征在于，所述步骤A）包括如下步骤：

A1）形成扫描线（10）、与扫描线（10）连接的第一栅极（11）、第二TFT金属连接线（20）、以及与第二TFT金属连接线（20）连接的第二栅极（21）；

A2）在形成上述图案的基础上，形成绝缘层（30）,并在绝缘层（30）上形成第一TFT半导体层（41）和第二TFT半导体层（42）；

A3）在形成上述图案的基础上，在绝缘层（30）开设有与第二TFT金属连接线（20）接触的接触孔，接着形成信号线（50）、与信号线（50）连接的第一源极（51）、第二漏极（52）、电流供应线（60）、与电流供应线（60）连接的第二源极（61）、第二漏极（62），第二漏极（62）一端通过所述接触孔与第二TFT金属连接线20接触。