[发明专利]发光器件及其制作方法有效
申请号: | 201210244665.8 | 申请日: | 2012-07-13 |
公开(公告)号: | CN102760749A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 陈珉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及光电技术领域,尤其涉及一种发光器件及其制作方法。
背景技术
有机电致发光二极管OLED(Organic Light-Emitting Diode)被认为是继液晶显示技术之后的最理想的第三代显示技术,在平板显示、照明、显示器背光源等各个领域具有广泛的应用。
OLED中的有机材料对氧气敏感,一旦接触到氧气,易于与氧气发生反应,从而使OLED的性能产生恶化。为了防止这种情况发生,现有技术中,一般使用玻璃对OLED的整个发光部分进行包覆。使用玻璃包覆虽然能够避免OLED中的有机材料与氧气接触,但是,由于OLED本身与包覆的玻璃之间留有缝隙,而且,玻璃本身是不容易导热的材料,因此,OLED通电工作所产生的热量不易于传导出去,易造成OLED过热损坏,影响OLED的使用寿命。
发明内容
本发明实施例的主要目的在于,提供一种发光器件及其制作方法,能够有效改善发光器件的散热性能,从而延长发光器件的使用寿命。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供一种发光器件,包括基板,所述基板上设置有发光部;所述发光器件中还集成有半导体热电制冷部,所述半导体热电制冷部设置在所述发光部上。
另一方面,本发明实施例提供一种上述发光器件的制作方法,包括以下步骤:
在基板上制备发光部;
在所述制备有发光部的基板上,制备半导体热电制冷部;
对所述制备有发光部和半导体热电制冷部的基板进行封装处理。
本发明实施例提供的发光器件及其制作方法,该发光器件中集成有半导体热电制冷部,该半导体热电制冷部利用热电效应原理,在发光部工作时,吸收并释放发光部所产生的热量,降低发光部工作时的温度,因此,能够有效改善发光器件的散热性能,从而延长发光器件的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的发光器件的一种结构示意图;
图2为本发明实施例提供的发光器件的一种结构示意图;
图3(a)-(c)为本发明实施例提供的发光器件中,半导体制冷单元的连接方式的原理示意图;
图4为本发明实施例提供的发光器件的制作方法的流程图;
图5为本发明实施例提供的发光器件为OLED的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种发光器件,如图1所示,本发明实施例提供的发光器件,包括基板1,基板1上设置有发光部2;所述发光器件中还集成有半导体热电制冷部3,半导体热电制冷部3设置在所述发光部2上。
其中,半导体热电制冷部3是一种基于帕尔帖效应(即热电效应)原理、利用半导体热电材料进行制冷的部件,其包括冷端31和热端32,冷端31靠近发光部2,用于吸收发光部2所产生的热量,而热端32远离于发光部2,用于释放冷端31所吸收的热量。
需要说明的是,本发明实施例提供的发光器件,半导体热电制冷部3是集成在发光器件中的,其直接制备在发光部2上,能够获得良好的制冷效果。
本发明实施例提供的发光器件,在发光部2工作时,利用半导体热电制冷部3吸收并释放发光部2所产生的热量,从而降低发光部2工作时的温度,因此,能够有效改善该发光器件的散热性能,从而延长发光器件的使用寿命。
具体的,在本发明的一个实施例中,如图2所示,半导体热电制冷部3包括第一绝缘导热层301、半导体热电堆层302和第二绝缘导热层303;第一绝缘导热层301设置在发光部2上,半导体热电堆层302设置在第一绝缘导热层301上,第二绝缘导热层303设置在半导体热电堆层302上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的